9第九章半导体存储器.pptVIP

本章要求 存储器是微机的基本组成部分之一，它的种类很多，工作原理各不相同。本章主要以在微机中广泛应用的半导体存储器为对象，在介绍半导体存储器及其基本电路，基础知识的基础上，着重说明在工程上如何使用这些存储器。 为此，我们要求掌握各半导体存储器芯片的外部特性，能熟练地将它们连接到微机的总线上，构成所要求的内存空间。 §9-1 概述 存储器按它和CPU的连接方式不同，可分为内存储器和外存储器。通过CPU的外部总线直接与CPU相连的存储器称为内存储器（简称内存或主存）。CPU要通过I/O接口电路才能访问的存储器称为外存储器（简称外存或二级存储器）。 内存用来存储当前运行所需要的程序和数据，以便直接与CPU交换信息。内存的容量小，工作速度高。外存则刚好相反，用于存放当前不参加运行的程序和数据。外存与内存经常成批交换数据。外存容量很大，存取速度比较慢。 按照构成存储器的材料不同，存储器分为半导体存储器、存储器、激光存储器。 二、半导体存储器的分类 1．容量 存储器芯片容量=单元数×数据线位数= 存储器的地址用一组二进制数表示，其地址线的位数n与存储单元的数量N的关系为： ∴存储单元的数量=字线数。若用M表示数据线的位数。 则：存储器芯片容量=字线数×位线数=N×M= 四、半导体存储器的组成 §9-2 随机存取存储器 （RAM） 1．概述 现以6264（或6164）芯片为例，说明其引线功能。 (2) 6264(6164)的工作过程 读出数据的过程 2. 连接使用 （2）部分地址译码方式 3．静态RAM连接举例 【例1】存贮器SRAM6116与8088的8位总线相连。 【例2】存贮器6116与8086的16位总线连接. 二．动态读写存贮器(DRAM) ( 戴P142 雷P248 ) 1．概述 动态读写存贮器(DRAM)以其速度快，集成度高，功耗小，价格低在微型计算机中得到了极其广泛的使用。 ●Din和Dout是芯片的数据线。 其中Din为数据输入线，当CPU写芯片的某一单元时，要写入的数据由Din送到芯片内部。同样，Dout是数据输出线，当CPU读芯片的某一单元时，数据由此引线输出。 如何来寻址2164A的64K个单元? （2）DRAM的工作过程 2、实现DRAM 的刷新(×不讲) (2) DRAM的读写 §7-3 只读存贮器（ROM）(戴P137 雷P253 裘雪红P154) 一、EPROM 2、2764的连接和使用 3. 2764的工作方式(雷丽文P253) (2)98C64A的工作过程 ①读出数据 从EEPROM读出数据的过程与从EPROM中读出数据的过程是一样的。 ②写入数据 将数据写入EEPROM 98C64A有两种方式。 (a)第一种是字节方式 页编程的过程是：利用软件首先向EEPROM 98C64A写入页的一个数据，并在此后的300μS之内，连续写入本页的其它数据，而后利用查询或中断看READY／ 是否变高。若变高，则写周期完成，则这页----最多可达32个字节的数据已写入98C64A。接着可以写下一页，直到将数据全部写完。利用这样的方法，对8K×8bit的98C64A来说，写满该芯片也只用2.6S的时间，其速度是比较快的。 (3) 98C64A 的连接使用 当读完本片的某一单元时，只要执行一条存贮器读指令，就会满足 ＝0, =1和 =0的条件，将存贮的数据读出。 当需要对EEPROM的内容重新编程时，可在图7.26的连线下直接进行。可以以字节方式来编程，也可以以页方式编程。图中READY／ 信号通过一个接口（三态门）可以读到CPU，用以判断一个周期是否结束。 E2PROM的片擦除功能 在D0～D7上加上FFH， =0, =0,并在 上加上+15V电压，使这种状态保持10mS，这样可将芯片所有单元擦除干净。 【例】如下面的程序可将55H写满98C64A START: MOV AX,1E00H ；置段地址，由硬件连线决定段地址 MOV DS,AX MOV SI,0000H ；置起始地址 MOV CX,2000H ；计数指针2000H GOON: MOV A