铜铟镓硒薄膜材料及其制备技术的研究进展.pptVIP

4-2 两种高效的掺杂Na的新方法 掺杂Na的（Mo：Na）背电极层 采用溶胶—凝胶法沉积含Na的硅氧化物（SiOx：Na) ——提供Na源，并可作为Fe、Cr等杂质元素的阻挡层 4-3 不锈钢衬底柔性太阳电池 不锈钢衬底柔性太阳电池结构 Al2O3阻挡层 430不锈钢 采用NaF作为Na源提供掺杂Na 不同NaF层厚度对电池性能的影响（NaF在CIGS沉积时共蒸发） NaF层厚度50?时， 光电转换效率最高—15.8%，厚度继续增加，Na掺杂过量。 Na对Ga的浓度分布的影响 NaF不同掺杂阶段对电池性能的影响 CIGS沉积前沉积NaF预制层 第二步共蒸发沉积NaF层 第三步后处理时沉积NaF层 结语 低成本及非真空的制备工艺适合大面积薄膜太阳电池的制备，但薄膜质量有待提高，电池效率仍有很大的提升空间。 非真空法的低温、大面积沉积工艺非常适用于柔性薄膜电池的生产。 CIGS薄膜性能研究的最终目标是提高电池的光电转换效率。目前采用的主要手段是：元素掺杂改性，改进工艺提高薄膜质量，改善薄膜的表面与界面。近年来，采用廉价元素替代或取代In、Ga稀贵金属元素是一个重要的发展趋势。 研究如何优化材料成分、提高薄膜质量、改进工艺参数，是制备高效率、大面积、均匀化的CIGS薄膜太阳电池的核心和关键。 谢谢 敬请各位老师指导 * * 两种预制层硒化后的薄膜形貌 （a、b）In/（CuGa+In）；（c、d）CuGa /In （a）In/（CuGa+In）；（b）CuGa /In 两种薄膜深度方向上的成分分布 H2Se高温硒化预制层+原位退火制备CIGS薄膜 CIGS薄膜晶粒尺寸大、结晶度高，吸收层表面的Ga含量增加，从而使带隙增加；电池器件的开路电压达623mV，转换效率超过15%。 （a）标准450℃硒化工艺； （b）优化的高温硒化工艺 较低温度（350~450℃）下部分硒化避免团聚 快速气体交换避免过度硒化 原位退火促进Ga的扩散，调整了带隙梯度 工艺特点 串联结构（多节堆垛）CIGS吸收层Tandem structure（Multi-junction stacked） CIS/CIGS/CGS薄膜 带隙： 1.42→2.06eV 光吸收系数：4.8×104cm-1 制备串联结构CIGS吸收层的工艺图示 电池性能新突破 薄膜表面FESEM图像及EDS分析结果 薄膜截面FESEM图像 SIMS分析结果（CIS/CIGS/CGS深度方向） Cu浓度梯度和Ga浓度梯度对比 2.2 非真空法 1、电沉积法（Electrodeposited method） 成本低，原料利用率高，薄膜生长速率快、质量高，大面积、连续、多组元、低温的沉积方法。 美国可再生能源实验室（NREL）研究进展 最初制备工艺——光电转换效率15.4%（0.418cm2） 新工艺——光电转换效率先后达到10.9%和11.7% 电沉积制备Cu-In-Ga-Se预制层薄膜 物理气相沉积（PVD）调整成分 热处理获得CIGS薄膜 电沉积制备Cu/In/Ga预制层薄膜 550 ℃硒化退火 CIGS薄膜 2、涂覆法——纳米颗粒涂覆法 在聚酰亚胺、不锈钢箔、Ti箔等柔性衬底上沉积薄膜具有优势 三、CIGS薄膜性能研究进展 改进薄膜性能 提高电池光电 转换效率 掺杂改变薄膜成分 优化制备工艺 提高成分均匀性，改善薄膜表面与界面，提高薄膜质量。 最终目标 1、Ga对薄膜性能的影响 覆Mo 背电极 CIGS表面 Ga/(In+Ga) 两种Ga的浓度梯度 Normal grading Double grading Depth 两种浓度梯度对电池性能的影响 （1）对于具有标准厚度（1.5~2.0μm）CIGS层的器件，在Ga /(In +Ga) = 0.25~0.50和Cu /(In +Ga) = 0.7~1.0时，具有Normal grading的电池效率增加约0.4%。 （2）通过减少CIGS的厚度，Ga浓度梯度的有益作用增加，CIGS层0.5μm厚时，效率提高2.5%。 （3）对于Double grading，在CIGS层表面增加Ga /( In +Ga)，没有使电池性能增加。 2、Cu对薄膜性能的影响 薄膜形貌 Cu /(In + Ga) 结晶质量 晶粒尺寸 Na元素的分布 贫Cu至富Cu的相变过程 电池性能 改变三步法中的CIGS薄膜生长过程（增加过剩Cu的含量） Cu-rich 共蒸发法中第二步过剩Cu对薄膜晶粒尺寸的影响 衬底温度600℃ 衬底温度450℃ 过剩Cu对Na元素分布的影响 SIMS曲线（衬底温度600℃） 过剩Cu对Ga浓度梯度的影响 衬底温度600℃ 3、化学