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．I．．S．．．S．．．．N．．．．．．．．1．．0．．．．0．．．2．．．．--．．．．．．4．．．9．．．—5—6 实验技术与管理 第27卷第5期2010年5月
CNll—2034／T and
ExperimentalTechnologyManagement V01．27No．5May．2010
半导体器件功率老化的结温控制方法研究
冯永杰h2，李 斌1，黄 云2
(1．华南理工大学电子与信息学院微电子研究所，广东广州510640；2．电子第五研究所
电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室，广东广州 510610)
摘要：半导体器件功率老化所面临的主要问题是结温控制。为了确保半导体器件老化的可靠性，对现有的
连续脉冲结温控制方法进行讨论和改进，并给出相应的结温测试电路。理论分析和实验表明，调整脉冲功
率、脉冲占空比、脉冲频率．确能使器件结温达到老化的要求，并分析了脉冲功率、脉冲占空比，脉冲频率对结
温的影响。最后在此基础上，提出一种多个分立器件使用单电源串行功率老化的方法。
关键词：半导体器件；功率老化；结温控制
中围分类号：TN307文献标志码：A 文章编号：1002-4956(2010)05—0046—04
0function control
methodfor
Studyj temperature
semiconductordevicesunder
bum-in
Yun2
FengYongjiel”，LiBinl，Huang
(1．Instituteof ofElectronicsandInformation．SouthChina
Microelectronics，College University
of 510640，China；2．Nationalfor and
Technology，Guangzhou KeyLaboratoryReliabilityPhysics
Its ofElectrical 5thElectronicsResearchInstituteof
ApplicationTechnology Component，the
the of andInformation 51061
MinistryIndustry 0，China)
Tecthnology，Guangzhou
of devices’burn-in
Abstr扯t：The semiconductor is contr01．The
majorproblem junctiontemperature existing
methodofcontinuousfordevice controlhasbeendiscussedand toensure
pulse juncti
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