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未退火InGaZnO作为缓冲层的InGaZnO薄膜晶体管性能-液晶与显示
第 卷 第 期 液晶与显示
３０ ４
Vol．３０ No．４
ChineseJournalofLiuidCrstalsandDislas
年 月 q y p y
２０１５ ８ Au．２０１５
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文章编号: ( )
１００７Ｇ２７８０２０１５０４Ｇ０６０２Ｇ０６
未退火InGaZnO作为缓冲层的InGaZnO
薄膜晶体管性能研究
∗
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苟昌华 武明珠 郭永林 杨永强 关晓亮 段 羽 王红波
( , )
吉林大学 电子科学与工程学院 集成光电子学国家重点联合实验室 吉林 长春１３００１２
: ( ) , , ,
摘要 铟镓锌氧化物薄膜晶体管 IGZOTFT 因具有场效应迁移率高 大面积均匀性好 无定型态等特点 被认为是显示
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器朝着大尺寸 柔性化方向发展的新型背板技术 源漏电极与有源层之间的接触氧化会增大器件的接触电阻 从而导致
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器件的性能降低 利用未退火 IGZO具有氧含量低 氧空位多 电导率高的特点 提出采用未退火 IGZO作为源漏电极缓
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冲层 以减少源漏电极与有源层之间的接触氧化 研究发现插入 ４nm未退火 IGZO缓冲层时 相对于未采用缓冲层的
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器件 其饱和区场效应迁移率提高了１１．６％ 阈值电压降低了３．８V 器件性能有所提高 此外 该方法还可以在原位退
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火之后继续使用与有源层相同的材料溅射生长缓冲层 能够使得在采用矩形靶溅射方式的工业生产中 制备缓冲层工艺
更加简单.
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关 键 词 薄膜晶体管 接触电阻 缓冲层
InGaZnO
中图分类号: ＋ 文献标识码: : /
TN３２１．５ A doi１０．３７８８YJYX０６０２
Effectsofusin InGaZnOwithoutannealin as
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bufferlaeronthe erformanceo
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