有关于半导体的导电性.pptVIP

;;;;3、迁移率;电导率与迁移率间的关系;本征半导体;§4.2 载流子的散射;而实际半导体中的载流子的运动情况：;在实际晶体中存在破坏周期性势场得作用因素：;一、载流子散射的概念: 散射：载流子与其它粒子发生弹性或非弹性碰撞，碰撞后载流子的速度的大小和方向发生了改变。 ;二、半导体的主要散射机构;电离杂质散射时：;晶体中的原子并不是固定不动的，而是相对于自己的平衡位置进行热振动。由于原子之间的相互作用，每个原子的振动不是彼此无关的，而是一个原子的振动要依次传给其它原子。晶体中这种原子振动的传播称为格波。原子的振动破坏了严格的晶格周期势，引起对载流子的晶格散射。载流子的晶格散射对半导体中的许多物理现象表现出重要的影响。 ; 格波与声子： 在固体物理中，把晶格振动看作格波，格波分为声学波（频率低）和光学波（频率高）。 角频率为ωa的格波，它的能量只能是量子化的，把格波的能量量子?ωa称为声子。声子能量为： ;分析得到：导带电子受长纵声学波的 散射几率 　　　　　　　　 ;三.其它因素引起的散射;谷间散射： 电子从一个能谷到另一个能谷时，波矢变化较大，?k2-?k1=?q,声子的波矢大，短波声子对应能量大，非弹性散射。;３.位错散射;４.合金散射;练习;§4.３ 迁移率与杂质浓度和温度的关系;一.平均自由时间?和散射概率Ｐ的关系;t