氮化镓基感光栅极高电子迁移率晶体管器件设计与制备朱彦-物理学报.PDF

氮化镓基感光栅极高电子迁移率晶体管器件设计与制备 朱彦旭 宋会会 王岳华 李赉龙 石栋 Designandfabricationofhighelectronmobilitytransistor devices with gallium nitride-based ZhuYan-Xu SongHui-Hui WangYue-Hua LiLai-Long Shi Dong 引用信息Citation: ActaPhysicaSinica, ,247203(2017) DOI: 10.7498/aps.66.247203 在线阅读Viewonline: /10.7498/aps.66.247203 当期内容Viewtableofcontents: /CN/Y2017/V66/I24 您可能感兴趣的其他文章 Articlesyoumaybeinterestedin 加载功率与壳温对AlGaN/GaN 高速电子迁移率晶体管器件热阻的影响 Influence of power dissipation and case temperature on thermal resistance of AlGaN/GaN high-speed electronmobilitytransistor 物理学报.2016,65(7): 077201 /10.7498/aps.65.077201 新型AlGaInP 系发光二极管饱和特性与寿命的研究 Investigationofthesaturationcharacteristicandlifetime of the novel AlGaInP lightemittingdiodes 物理学报.2014,63(3): 037201 /10.7498/aps.63.037201 原子层沉积Al O /n-GaNMOS 结构的电容特性 CapacitancecharacteristicsofatomiclayerdepositedAl O /n-GaNMOSstructure 物理学报.2013,62(19): 197203 /10.7498/aps.62.197203 AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管漏电流退化机理研究 DegradationmechanismofleakagecurrentinAlGaN/GaN high electron mobility transistors 物理学报.2013,62(15): 157202 /10.7498/aps.62.157202 AlGaAs/InGaAsPHEMT 栅电流参数退化模型研究 GatecurrentdegradationmodeloftheAlGaAs/InGaAsPHEMT 物理学报.2013,62(15): 157203 /10.7498/aps.62.157203 物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 66, No. 24 (2017) 247203 氮化镓基感光栅极高电子迁移率晶体管器件 设计与制备 朱彦旭 宋会会 王岳华 李赉龙 石栋 (北京工业大学, 光电子技术教育部重点实验室, 北京 100124) ( 2017 年6 月26 日收到; 2017 年9 月14 日收到修改稿) GaN 基高电子迁移率晶体管(HEMT) 作为栅控器件, 具有AlGaN/GaN 异质结处高浓度的二维电子气 (2DEG) 及对表面态敏感等特性, 在栅位置处与感光功能薄膜的结合是光探测器领域重要的研究方向之一. 本文首先提出在GaN 基HEMT 栅电极上引入光敏材料锆钛酸铅(PZT), 将具有光伏效应的铁电薄膜PZT 与 HEMT 栅极结合, 提出一种新的“金属/铁电薄膜/金属/半导体(M/F/M/S)” 结构; 然后在以蓝宝石为衬底 的AlGaN/GaN 外延片上制备感光栅极HEMT 器件. 最后, 通过PZT 的光伏效应来调控沟道中的载流子浓 度和通过源漏电流的变化来实现对可见光和紫外光的探测. 在365 nm 紫外光和普通可见光条件下, 对比测