半导体二极管及其基本电路课件.pptVIP

第一章 半导体器件基础  教学时数：8学时 重点与难点： 1、PN结的原理和二极管的等效电路。 2、半导体内部载流子运动规律。 3、晶体二极管、晶体三极管、结型场效应管、绝缘栅型场应管的工作原理和特性曲线。 §1.1 半导体基础知识 3. 半导体 1.1.2 本征半导体 2.本征半导体的共价键结构 共价键性质 3. 电子与空穴 ４．电子与空穴 ５．电子与空穴的复合 ６．空穴的移动 1.1.3 杂质半导体 1. N型半导体 N型半导体结构 2. P型半导体 P型半导体结构 本节中的有关概念 2.2 PN结及其特性 PN结的形成 PN结的形成 PN结的单向导电性 (1) PN结加正向电压时的导电情况 (2) PN结加反向电压时的导电情况 （3） PN结的伏安特性 3. PN结方程 PN结方程 4. PN结的击穿特性 5 . PN结的电容效应 (1) 势垒电容CB (2) 扩散电容CD 扩散电容CD 1.2.1 半导体二极管的结构类型 二极管的结构 1.2.2 半导体二极管的伏安特性曲线 二极管的伏安特性曲线 (1) 正向特性 (2) 反向特性 反向特性 2.3.4 半导体二极管的温度特性 1.2.3 半导体二极管的参数 半导体二极管的参数 2.3.6 二极管电路及其分析方法 1. 图解法 2. 模型分析法 大信号模型 理想模型 小信号模型 2.3.7 二极管基本应用 二极管基本应用 二极管基本应用 2.4 稳压二极管 2.4.1 稳压二极管参数 稳压二极管参数 2.4.2 稳压管应用 稳压管应用 在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。二极管按结构分有点接触型、面接触型和平面型三大类。它们的结构示意图如下图所示。 (1) 点接触型二极管— PN结面积小，结电容小， 用于检波和变频等高频电路。 点接触型二极管的结构示意图 平面型 (3) 平面型二极管— 往往用于集成电路制造工 艺中。PN 结面积可大可小，用 于高频整流和开关电路中。 (2) 面接触型二极管— PN结面积大，用 于工频大电流整流电路。 面接触型 半导体二极管的伏安特性曲线如图所示。处于第一象限的是正向伏安特性曲线，处于第三象限的是反向伏安特性曲线。 根据理论推导，二极管的伏安特性曲线可用下式表示 式中IS 为反向饱和电流，V 为二极管两端的电压降，VT =kT/q 称为温度的电压当量，k为玻耳兹曼常数，q 为电子电荷量，T 为热力学温度。对于室温（相当T=300 K），则有VT=26 mV。 硅二极管的开启电压Von=0.5 V左右， 锗二极管的开启电压Von=0.1 V左右。 当0＜V＜Von时，正向电流为零，Von称为死区电压或开启电压。 当V＞0即处于正向特性区域。正向区又分为两段： 当V＞Von时，开始出现正向 电流，并按指数规律增长。 当V＜0时，即处于反向特性区域。反向区也分两个区域： 当VBR＜V＜0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流IS 。 当V≥VBR时，反向电流急剧增加，VBR称为反向击穿电压 。 在反向区，硅二极管和锗二极管的特性有所不同。 硅二极管的反向击穿特性比较硬、比较陡，反向饱和电流也很小；锗二极管的反向击穿特性比较软，过渡比较圆滑，反向饱和电流较大。 从击穿的机理上看，硅二极管若|VBR|≥7V时,主要是雪崩击穿；若|VBR|≤4V时, 则主要是齐纳击穿。当在4V～7V之间两种击穿都有，有可能获得零温度系数点。 温度对二极管的性能有较大的影响，温度升高时，反向电流将呈指数规律增加，如硅二极管温度每增加8℃，反向电流将约增加一倍；锗二极管温度每增加12℃，反向电流大约增加一倍。近似认为二极管管温度每增加10℃，反向电流大约增加一倍 另外，温度升高时，二极管的正向压降将减小，每增加1℃，正向压降大约减小2mV，即具有负的温度系数。这些可以从所示二极管的伏安特性曲线上看出。 半导体二极管的参数包括最大整流电流IF、反向击穿电压UBR、最大反向工作电压UR、反向电流IR、最高工作频率fmax和结电容Cj等。几个主要的参数介绍如下： (1) 最大整流电流IF—— 二极管长期连续工 作时，允许通过二 极管的最大整流 电流的平均值。 (2) 反向击穿电压UBR——— 和最大反向工作电压UR 二极管反向电流 急剧增加时对应的反向 电压值称为反向击穿 电压UB