半导体二极管教学课件.pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * * * * * 阳极连接P区，阴极连接N区 题目类型：半导体基础知识正确的判断；电子电路中二极管、稳压管工作状态的判断； 已知电子电路的输入电压求输出电压。 额定功率或最大耗散功率 工程实际使用中，常常忽略动态电阻rZ 发光二极管正偏；光电二极管反偏 光电二极管反偏 1.5.4 光电耦合器件 将发光二极管和光电二极管组合起来 可以组成二极管型的光电耦合器件。 1.5.5 肖特基二极管 （a）符号 （b）正向V-I特性 肖特基二极管（SBD）是由金属和N型半导体接触形成势垒的二极管，其阳极是金属，阴极是N型半导体。 肖特基二极管是一种多数载流子导电器件，不存在少数载流子的电荷存储现象，因此电容效应较小，适用于高频或开关电路。 1.5.6 变容二极管 （a）符号 （b）结电容与电压的关系（纵坐标为对数刻度） 第1章小结 半导体在本征激发后具有导电性能，载流子浓度与温度有关； P型半导体中多子为空穴，少子为电子； N型半导体中多子为电子，少子为空穴； PN结具有单向导电性； 二极管在电路中工作状态的判断方法； 稳压二极管的工作原理和稳压电路. * * * * * * * * * 硅的典型数据：ni = pi =1.4×10^10/cm3， n=5×10^16/cm3,本征硅的原子浓度: 4.96×10^22/cm3 * * * * * * * * * * * * * * n ——发射系数，与PN结尺寸、材料等有关，1－2，一般取1 * * * * * 1.2.3 PN结的伏安特性 PN结V-I 特性表达式 i ——PN结电流 IS ——反向饱和电流 VT ——温度的电压当量 在常温下（T=300K） v——PN结外加电压 ②当PN结两端加反向电压时， v为负值，当|v|VT ①当PN结两端加正向电压时，v为正值， 达到（5～10)VT 时， v VT ， i与v成指数关系。 1.2.4 PN结的反向击穿 当外加的反向电压大于一定的数值（VBR：击穿电压）时，反向电流急剧增加 ，称为击穿。 电击穿:当反向电流与电压的乘积不超过PN结容许的耗散功率时,称为电击穿，是可逆的。即反压降低时,管子可恢复原来的状态。 热击穿:若反向电流与电压的乘积超出PN结的耗散功率,则管子会因为过热而烧毁,形成热击穿——不可逆。 电击穿和热击穿 雪崩击穿、齐纳击穿——可逆 雪崩击穿： 雪崩击穿和齐纳击穿 形成电子空穴对（碰撞电离） 通过PN结的少子获得能量大 与晶体中原子碰撞使共价键的束缚 电荷挣脱共价键 PN结反向高场强 载流子倍增效应 齐纳击穿： 形成电子空穴对 直接将PN结中的束缚电荷从共价键中拉出来 PN结电场很大 很大反向电流 齐纳击穿需要很高的场强：2×105 V/cm 只有杂质浓度高，PN结窄时才能达到此条件——齐纳二极管（稳压管） 电容：可存储、释放电荷（电场能量）的电器元件 介质 金属板 PN结具有电容效应，耗尽层电导率低，相当于介质； P、N型区相对来说电导率较高，相当于金属板（电极）。 1.2.5 PN结的电容效应 1. 扩散电容CD 扩散电容是由多子扩散后，在PN结的另一侧面积累而形成的。当外加正向电压不同时，PN结两侧堆积的多子的浓度梯度分布也不同，这就相当电容充放电过程。 2. 势垒电容CB 势垒电容是由空间电荷区的离子薄层形成的。当外加电压使PN结上压降发生变化时，离子薄层的厚度也相应地随之改变，这相当PN结中存储的电荷量也随之变化，犹如电容的充放电。 考虑PN结的电容效应后，高频或开关状态时， 等效为： 1.3 二极管 1.3.1 二极管的结构 1.3.2 二极管的伏安特性 1.3.3 二极管的主要参数 1.3.1 二极管的结构 二极管主要有三种形式： 点接触型、面接触型和硅平面型。 (1) 点接触型二极管 PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。 (2) 面接触型二极管 PN结面积大，用于低频、大电流整流电路,不宜用于高频。 (3) 硅平面型二极管 往往用于集成电路制造艺中。PN 结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。 二极管的电路符号： （正） （负） 半导体二极管实物 1.3.2 二极管的V-I 特性 二极管的V-I 特性曲线可用下式表示 锗二极管2AP15的V-I 特性 硅二极管2CP10的V-I 特性 硅管的Vth=0.5V左右 锗管的Vth=0.1V左右 当0＜V＜Vth