基于吡唑啉酮固相材料分离识别钍(IV)的研究-应用化学专业论文.docxVIP

I I 摘 要 表面印迹技术(Surface imprinting technique)以分子印迹技术为基础，通过把 识别位点建立在基质材料的表面，来提高识别位点与印迹分子的结合速度，进一 步加强印迹材料吸附分离效率。表面印迹材料不但具有高选择性，而且具有快速 动力学，已被广泛应用于痕量元素分离领域。钍是一种天然的放射性元素，具有 广泛的商业及工业用途，并且是一种潜在的核燃料。但由于其具有放射毒性而对 人类环境构成威胁，因此，对环境中痕量钍的提取和监测非常重要。钍在地质和 环境样品中的含量很低，基体复杂，常规分析方法包括原子吸收光谱法、电感耦 合等离子体原子发射光谱法等都难以直接测定。为了提高分析方法的灵敏性和选 择性，测定前必须首先对钍(IV)离子进行分离和富集。而分子印迹固相萃取是一 项专门针对复杂样品中痕量物质进行分离富集的前处理技术。因此，本论文以建 立表面印迹固相萃取分离痕量钍(IV)为目的，开展了以下几方面的研究工作： 1. 对分子印迹技术和离子印迹技术基本原理、表面印迹材料的发展以及目 前钍(IV)离子分离检测的最新进展进行了较为全面的分析和概述。 2. 以钍(IV)为模板离子，通过接枝共聚法在修饰硅胶表面制备了新型的离子 印迹材料，通过扫描电镜(SEM)和氮气吸附(BET)对其外貌结构进行表征，并采 用静态法和动态法系统研究了印迹材料对 Th(IV)的吸附行为和选择性能。在最佳 条件下，印迹吸附剂最大吸附容量为 56.8 mg g-1，Th(IV)/La(III)、Th(IV)/Ce(III) 和 Th(IV)/U(VI)的选择因子分别为 78.3，82.6 和 50.8。并将建立的方法应用于实 际样品和自然水样中钍的富集测定，方法的相对标准偏差和检测限分别为 2.19 % 和 0.54 μg L-1。 3. 以 4-酰基吡唑啉酮(MPABAP)与 4-乙烯基吡啶组成双配体与钍(IV)结合形 成的复合物为模板，在交联剂(EGDMA)和引发剂(AIBN)作用下，制备了用于分 离吸附 Th(IV)的表面印迹材料。实验表明该印迹聚合物最大的静态吸附钍(IV) 的容量为 59.2 mg g-1，在 15 min 内达到吸附平衡，吸附过程符合 Lagergren 一级 动力学模型。Th(IV)/La(III)、Th(IV)/Ce(III)和 Th(IV)/U(VI)的相对选择系数分别 为 86.8，92.3 和 56.3。利用该印迹材料结合固相萃取富集钍(IV)的相对标准偏差 为 1.9 %，检测限为 0.57 μg L-1，并对环境水样中 Th(IV)进行富集测定，结果令 II II 人满意。 关键词：表面印迹材料；分离富集；固相萃取；痕量钍(IV)；修饰硅胶 PAGE PAGE IV The study on separation and recognition of thorium(IV) by solid phase adsorbent containing pyrazolone Abstract Surface imprinting technique, which was based on molecular imprinting technology, make the recognition site on the surface of supported material, so that, it can improve the binding rate between recognition site and template molecular, and enhance the extraction efficiency of imprinted material. Surface imprinted materials, which possess not only higher selectivity but also faster binding kinetics, have been widely used in separation field of trace elements. Thorium，which is the most abundant radioactive element in nature, is widely applied to the purpose of commerce and industry, especially in nuclear energy. But as is known to us, thorium poses a significant threat to the ecosystem and especially to people