基于不同原料体系的SiC纳米线量产化制备工艺研究-材料工程专业论文.docx

基于不同原料体系的SiC纳米线量产化 基于不同原料体系的SiC纳米线量产化 制备工艺研究 学位论文完成日期： 指导教师签字： 答辩委员会成员签字： 莩笠 缘皎英 万方数据 青岛科技大学研究生学位论文基于不同原料体系的SiC纳米线量产化制备 青岛科技大学研究生学位论文 基于不同原料体系的SiC纳米线量产化制备 工艺研究 摘要 宽带隙半导体SiC一维纳米材料，在力学、电化学、光学及光催化等方面具 有优异的性能，由此延伸的应用前景已经引起人们的广泛关注，现已成为低维纳 米材料领域的重要研究热点之一。近年来，SiC一维纳米材料的制备工艺、生长 机理目臻完善，科研工作者将主要研究方向集中在如何实现SiC一维纳米材料的 克量级制备，现已经成为一项极具挑战性的课题。 本文主要采用化学气相沉积法(CVD)，以硝酸镍作为催化剂，高纯硅粉为 硅源，采用不同的碳源(A型碳、B型碳及C型碳)合成SiC纳米线，探究制备 过程中工艺参数对SiC纳米线产率、形貌及结构的影响规律，优选出以不同碳源 制备SiC纳米线时的工艺参数。通过扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、能谱 分析(EDS)、X射线衍射()(1m)等表征结果探讨了在使用不同碳源条件下SiC 纳米线的生长机理。论文的主要研究内容及成果如下： 1、以高纯硅粉为硅源，A型碳为碳源成功制各出SiC纳米线，系统研究了 硅碳摩尔比、升温速率、反应温度及反应