基于单芯片双门极IGBT的矩阵变换器换流策略研究-电气工程专业论文.docxVIP

基于单芯片双门极IGBT的矩阵变换器换流策略研究摘 基于单芯片双门极IGBT的矩阵变换器换流策略研究 摘 要 本文对矩阵变换器理论进行了细致的阐述分析，从半导体器件层面到矩阵变 换系统层面均提出了自己的构想理论。首次设想将一种单芯片双门极绝缘栅双极 型晶体管(BD．IGBT)作为开关器件应用到矩阵变换器中，完成了对BD—IGBT的 理论分析，元胞设计，混模仿真，对BD．IGBT应用于矩阵变换器的优势与可能遇 到的问题进行了前瞻性的预测，并结合一部分实验验证了我们理论的可行性，为 基于BD．IGBT设计的矩阵变换器提供了理论依据以及研究方法。 本文以矩阵变换器系统功耗为主要研究目标，期望新器件的引入能够提升系 统的能量传输效率，降低系统的分散性。首先主要介绍了矩阵变换阐述矩阵变换 器的两个基本理论——调制算法，换流策略，并在MATLAB／SimPowerSystems平 台上选择性地搭建了最具代表性的基于空间矢量调制与四步／一步换流策略的矩 阵变换器平台；其次提出了在仿真实验过程中，矩阵变换器系统计算导通损耗， 开关损耗的数学模型；最后以此为基础结合我们BD．IGBT混模仿真的结果计算整 个系统的功率损耗，并与传统的组合型开关进行对比，定量地分析使用BD．IGBT 所带来的功耗优势。 针对BD．IGBT本身的属性入手，本文提出了优化后的四步换流策略与一步换 流策略，对比各个换流策略在影响BD—IGBT工作模式的情况下，对矩阵变换器整 个系统功耗的影响，发现在采用新型换流策略后，矩阵变换器功耗能够进一步降 低，这意味这系统能量密度，输送效率也能够得到相应的提升。同时搭建了两相． 一相变换器实验平台，通过实验在一定程度上验证了混模仿真的可靠性，对更复 杂的样机搭建奠定了设计思想基础。 关键词：矩阵变换器；双向绝缘栅双极晶体管；换流策略；功率损耗； II 万方数据 硕士学位论文Abstract 硕士学位论文 Abstract This paper meticulously analyzes the theory of matrix converter，proposing particular conception in both semiconductor switch and matrix converter system．It is the first time that a single··chip dual·-gate IGBT is used as the switch cell in matrix converter．The theoretical analysis，cell design and mix-mode simulation of BD—IGBT is finished in the paper。The applicability and advantage of BD-IGBT in matrix converter is discussed and experimental calibration，providing the theoretical foundation for using BD—IGBT in matrix converter． This paper take the power loss as the judgment criteria of matrix converter’ performance．Research done in the paper is concerned on reducing the power losses and improve the efficiency of the system．Modulation method and commutation strategy is first discussed in this paper．A three—phase to three—phase matrix converter with four··step／one·-step commutation strategies is developed in MATLAB／SimPowerSystems．To calculate the power loss of the matrix converter．we develop the mathematical model for the conduction loss and switching loss of matrix converter．By comparing the power loss of different switching cell，we confirm the advantage of