脉冲激光沉积硫化锗–硫化稼–硫化镉非晶薄膜的结构和-硅酸盐学报.PDF

第36 卷第12 期 张 星 等：铁掺杂对锰酸镧锶体系磁电性质的影响 · 1725 · 第36 卷第12 期 硅 酸 盐 学 报 Vol. 36 ，No. 12 2008 年 12 月 JOURNAL OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY December ，2008 脉冲激光沉积硫化锗–硫化稼–硫化镉非晶薄膜的结构和性能 1,3 1 1,3 1 1 顾少轩 ，马志军 ，潘瑞琨 ，陶海征 ，赵修建 (1. 武汉理工大学，硅酸盐材料工程教育部重点实验室；2. 材料科学与工程学院，武汉 430070 ； 3. 湖北大学材料科学与工程学院，武汉 430062) 摘 要：用脉冲激光沉积(pulsed laser deposition，PLD)法在玻璃基片上沉积了组分为80GeS –15Ga S –5CdS 的硫系非晶薄膜，利用X 射线衍射、分光 2 2 3 光度计、扫描电镜、场发射扫描电镜、Raman 光谱等研究了薄膜的性能和结构。对薄膜进行紫外脉冲激光极化，采用 Maker 条纹法测试薄膜的二阶 非线性光学效应(second harmonic generation，SHG)。结果表明：获得的硫系GeS –Ga S –CdS 非晶薄膜表面光滑平整、厚度约为800 nm 、透过率高达 2 2 3 78%，与靶材相比，薄膜中的缺陷较多。在紫外脉冲激光极化的薄膜中观察到了明显的SHG，强度约为参考石英单晶的两倍。 关键词：硫化锗–硫化稼–硫化镉非晶薄膜；二阶非线性光学效应；脉冲激光沉积法；紫外脉冲激光极化 中图分类号：TQ171.1，O437 文献标志码：A 文章编号：0454–5648(2008)12–1725–05 STRUCTURE AND PROPERTIES OF GeS –Ga S –CdS AMORPHOUS FILMS PREPARED 2 2 3 BY THE PULSED LASER DEPOSITION GU Shaoxuan1,2 1 1,3 1 1 ，MA Zhijun ，PAN Ruikun ，TAO Haizheng ，ZHAO Xiujian (1. Key Laboratory of Silicate Materials Science and Engineering; 2. School of Materials Science and Enginee