表8-4硅光电池2CR型特性参数.PPT

表8-4 硅光电池2CR型特性参数 * 表8-4 硅光电池2CR型特性参数 * 4. 光电开关 光电开关是一种利用感光元件对变化的入射光加以接收， 并进行光电转换，同时加以某种形式的放大和控制，从而获得最终的控制输出“开”、 “关”信号的器件。 分类：直接反射式、镜面反射式、对射式、光纤式 优点：寿命长、精度高、响应迅速快、检测距离远等。 * 1、直接反射式 反射式光电开关是一种集发射器和接收器于一体的传感器。当被检测的物体经过时，将光电开关发射器发射的足够量的光线反射到接收器，于是光电开关就产生了开关信号。当被检测的物体表面光亮或其反光率极高时，直接反射式的光电开关是首选。 * 2、镜面反射式光电开关 反射式光电开关是一种集发射器和接收器于一体的传感器。光电开关发射器发出的光线经过反射板，反射回接收器，当被检测的物体经过且完全阻断光线时，光电开关就产生了开关信号。 * 3、对射式光电开关 对射式光电开关包含在结构上相互分离且光轴相对放置的发射器和接收器。发射器发出的光线直接进入接收器当被检测物体经过发射器和接收器之间且阻断光线时，光电开关就产生开关信号，当被检测物体不透明时对设式光电开关是可靠的检测模式。 * * * * * 8.1.2 光敏二极管和光敏晶体管 1. 结构原理 光敏二极管的结构与一般二极管相似。它装在透明玻璃外壳中，其PN结装在管的顶部，可以直接受到光照射（见图8-7）。 光敏二极管在电路中一般是处于反向工作状态（见图8-8），在没有光照射时，反向电阻很大，反向电流很小，这反向电流称为暗电流，当光照射在PN结上，光子打在PN结附近，使PN结附近产生光生电子和光生空穴对，它们在PN结处的内电场作用下作定向运动，形成光电流。光的照度越大，光电流越大。因此光敏二极管在不受光照射时处于截止状态，受光照射时处于导通状态。 * 图 8-7 光敏二极管结构简图和符号 * 图 8-8 光敏二极管接线图 * 光敏晶体管与一般晶体管很相似，具有两个PN结，如图8-9（a）所示，只是它的发射极（E）一边做得很大，以扩大光的照射面积。 光敏晶体管接线如图8-9（b）所示，大多数光敏晶体管的基极无引出线，当集电极（C）加上相对于发射极为正的电压而不接基极时，集电结就是反向偏压， 当光照射在集电结时，就会在结附近产生电子—空穴对，光生电子被拉到集电极，基区（B）留下空穴，使基极与发射极间的电压升高，这样便会有大量的电子流向集电极，形成输出电流，且集电极电流为光电流的β倍，所以光敏晶体管有放大作用。 * 图 8 - 9 NPN型光敏晶体管结构简图和基本电路 光敏晶体管有放大作用，灵敏度比光敏二极管高得多。 * 8.1.3 光电池 光电池是一种直接将光能转换为电能的光电器件。光电池在有光线作用时实质就是电源，电路中有了这种器件就不需要外加电源。 光电池的工作原理是基于“光生伏特效应”。它实质上是一个大面积的PN结，当光照射到PN结的一个面，例如P型面时， 若光子能量大于半导体材料的禁带宽度，那么P型区每吸收一个光子就产生一对自由电子和空穴， 电子-空穴对从表面向内迅速扩散， 在结电场的作用下，最后建立一个与光照强度有关的电动势。 图8-15为硅光电池原理图。 * 图 8-15 硅光电池原理图 (a) 结构示意图； (b) 等效电路 * 光电池基本特性有以下几种： (1) 光谱特性 光电池对不同波长的光的灵敏度是不同的。 图8-16为硅光电池和硒光电池的光谱特性曲线。从图中可知， 不同材料的光电池， 光谱响应峰值所对应的入射光波长是不同的，硅光电池波长在0.8μm附近，硒光电池在0.5μm附近。硅光电池的光谱响应波长范围为0.4~1.2μm，而硒光电池只能为0.38~0.75μm。可见，硅光电池可以在很宽的波长范围内得到应用。 * 图8-16 硅光电池的光谱特性 * (2) 光照特性# 光电池在不同光照度下， 其光电流和光生电动势是不同的，它们之间的关系就是光照特性。图8-17为硅光电池的开路电压和短路电流与光照的关系曲线。从图中看出， 短路电流在很大范围内与光照强度呈线性关系，开路电压（即负载电阻RL无限大时）与光照度的关系是非线性的，并且当照度在2000 lx时就趋于饱和了。因此用光电池作为测量元件时， 应把它当作电流源的形式来使用， 不宜用作电压源。 * 图 8-17 硅光电池的光照特性 * （3） 频率特性 图8-18分别给出硅光电池和硒光电池的频率特性，横坐标表示光的调