基于光调控的有机场效应晶体管非易失性存储器的研究-光学工程专业论文.docxVIP

万方数据 万方数据 南京邮电大学学位论文原创性声明 本人声明所呈交的学位论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。 尽我所知，除了文中特别加以标注和致谢的地方外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过 的研究成果，也不包含为获得南京邮电大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。 与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示了谢意。 本人学位论文及涉及相关资料若有不实，愿意承担一切相关的法律责任。 研究生签名： 日期： 南京邮电大学学位论文使用授权声明 本人授权南京邮电大学可以保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子文 档；允许论文被查阅和借阅；可以将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索； 可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编本学位论文。本文电子文档的内容和纸质 论文的内容相一致。论文的公布（包括刊登）授权南京邮电大学研究生院办理。 涉密学位论文在解密后适用本授权书。 研究生签名： 导师签名： 日期： 摘要 有机场效应晶体管存储器具有制备工艺简单，可设计性强，可非破坏性读取，可与柔性 基底集成等众多优点，因而受到研究者的广泛关注。作为替代或者补充现有无机半导体存储 技术的有机半导体存储技术,有机场效应晶体管存储器具有极大的研究价值和经济前景。但是 目前有机场效应晶体管存储器的高性能和数据存储的稳定性以及存储机制等问题急需解决。 本论文介绍了有机场效应晶体管存储器的发展历史、种类以及工作机理，并设计制备了 一系列具有光电存储性质并且性能稳定的有机场效应晶体管存储器，并对其工作机理进行了 探讨。 （1）设计并制备了基于 Si/SiO2/PVK/Pentacene/Au 器件结构的有机场效应晶体管存储器，以 Pentacene／PVK 作为功能层，研究了存储器件的光电存储性质。应用光照作为信息写入擦 除的编程方法在单极性存储器件上实现了双极性存储，在电存储基础上拓展了光电存储的信 息写入擦除方式。这种双极性存储器件的电子存储时间和空穴存储时间能够维持在 104s 以 上，开关比分别维持在 103 和 104，表现出稳定的双极性存储特性。 （2）研究了纳米浮栅型的有机场效应晶体管存储器，设计并制备了基于 Si/SiO2/PMMA/Au NPs/PVK/Pentacene/Au 结构的有机场效应晶体管存储器，以 Au 纳米粒子作为浮栅层，器件 的 Au 纳米粒子浮栅通过真空蒸镀法制备，制备工艺简单，可控性强。探究了金纳米浮栅型有 机场效应晶体管存储器的光电存储特性，应用光照作为信息写入擦除的信息编程方式，器件 表现出良好的光电存储性能以及数据维持稳定性。 （ 3 ） 利 用 混 合 聚 合 物 作 为 有机 场 效 应 晶 体 管 存 储 器 的 电 介 体 层 ， 设 计 并 制 备 了 Si/SiO2/PMMA/ PVK POSS/Pentacene/Au 结构的有机场效应晶体管存储器，使用溶液旋涂法制 备混合的聚合物薄膜层 PVK POSS 作为电介体层，研究了其光电存储特性。并且探究了利用 混合聚合物 PVK 944 作为电介体层的电介体型有机场效应晶体管存储器在多阶存储方面的应 用。 关键词: 有机场效应晶体管，光调控，浮栅，电介体，多阶存储 I Abstract Organic field-effect transistor (OFET) memory devices have attracted extensive attention due to their advantages of nondestructive read-out, easily integrated structure and well compatibility with flexible substrate. As the next-generation data storage technology to replace or supplement existing inorganic semiconductor memory technology, the organic field-effect transistor memory has great research value and economic prospects. However, the performance of the memory devices as well as the memory mechanism problem still need urgently to be solved. In this thesis, the development history, de