2010-电子陶瓷第四章第四讲.ppt

第四章 电子陶瓷基本性质 陶瓷材料的各种性质并不是孤立的，而是和它的组成、结构等紧密联系在一起的。 陶瓷材料某些性质相联系又相区别的关系叫做材料性质之间的转换和耦合。 如加有电场情况下某些陶瓷的机械性能会有较大幅度的变化，可以用逆压电效应来表征。 第四章 电子陶瓷基本性质 加有的电场情况下某些陶瓷的光学常数如折射率会随外加电场发生较大幅度的变化，可以用电光效应来表征。 在受热情况下，某些陶瓷的表面会有感生电荷产生，可以用热释电效应来表征。 此外，还有光电效应、磁光效应、声光效应等等。 第四章 电子陶瓷基本性质 各种效应的关系可以如下图表示： 热 光 力 磁 电 热释电效应 电热效应 电磁效应 磁电效应 磁光效应 电热效应 电光效应 光电效应 压电效应 逆压电效应 第四章 电子陶瓷基本性质 可见，电子陶瓷材料的耦合性质是内容非常广泛的一种性质，应作为一种特殊性加以研究。 随着现代信息技术的发展，电子陶瓷材料的这种耦合性质将越来越受到重视。 第四章 电子陶瓷基本性质 作业： 1、 书中93页12～16题 第四章 电子陶瓷基本性质 2、对于离子晶体，如两个离子间的排斥能为玻恩函数： 求一对正负离子的位移极化率为多少？ 第四章 电子陶瓷基本性质 3、如A原子的半径是B原子的半径的两倍。在其他条件不变的情况下， A原子的电子极化率是B原子的电子极化率的多少倍？ 4、金红石(TiO2)的介电常数为100，求气孔率为5%的金红石陶瓷的介电常数为多少？ 第四章 电子陶瓷基本性质 tgδ又可以表示为： ? tgδ= Pe/P ? 式中 Pe为有功功率。即介质损耗的功率；Pe为无功功率。 第四章 电子陶瓷基本性质 tgδ的具体意义是有耗电容器每周期消耗的电能与其所储存电能的比值。 tgδ经常用来表示介质损耗的大小。应该注意，用tgδ表示介质损耗时必须同时指明测量（或工作）频率。因为介质损耗： ? Pe = Pe tgδ=ωCtgδU2 ? 单位体积的介质损耗为：?? 第四章 电子陶瓷基本性质 p=ωεtgδ E2 ? 可见，介质损耗与频率有关。 式中εtgδ称损耗因数，在外界条件一定时，它是介质本身的特定参数。 第四章 电子陶瓷基本性质 式中ωεtgδ称等效电导率，它不是常数。 频率高时，ωεtgδ增大，介质损耗增大。 因此，工作在高频高功率下的介质，要求损耗小，tgδ必须在控制很小的范围。 一般高频介质tgδ应小于6×10-4， 高频率高功率介质tgδ应小于3×10-4。可见生产上控制tgδ是很重要的。 第四章 电子陶瓷基本性质 介质的tgδ对湿度很敏感。受潮的试样tgδ急剧增大。试样吸潮越严重，tgδ增大越厉害，常利用此性质来判断瓷体烧结的好坏。 介质损耗对化学组成、相组成、结构等因素很敏感，凡是影响电导和极化的因素都影响介质损耗。 第四章 电子陶瓷基本性质 介电损耗tgδ的物理意义是在交变电场作用下电介质的电位移矢量D与电场强度E之间的相位差。 第四章 电子陶瓷基本性质 介电常数表为一复数： 第四章 电子陶瓷基本性质 介电常数的实部反映了电介质储存电荷的能力，虚部反映了电介质在电荷移动过程中引起的电场能量损耗，它们均与电场频率有关。 电介质的损耗多来自漏电损耗： 极化损耗。 第四章 电子陶瓷基本性质 漏电损耗是因为电介质的直流电导损耗以及由于离子迁移受阻和偶极子弛豫损耗而引起能量的损失。 极化损耗是因为材料中电子和离子的非弹性位移引起的。 第四章 电子陶瓷基本性质 第四章 电子陶瓷基本性质 在交变电场作用下，不同极化机制对外电场的响应不同，或者说存在频率色散，介质中的极化是一些弛豫过程。 极化过程需要经历一段时间达到平衡态，存在有介电损耗。 静态介电常数与