化学气相反应法制备SiC涂层-中国科技论文在线.PDF

　第 32 卷第 7 期 硅 酸 盐 学 报 Vol . 32 , No . 7 　2 0 0 4 年 7 月 JOURNAL OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY J u l y , 2 0 0 4 简 　　报 化学气相反应法制备 SiC 涂层 刘兴　 , 黄启忠 , 苏哲安 , 蒋建献 ( 中南大学 , 粉末冶金国家重点实验室 , 长沙 　410083) 摘 　要 : 采用化学气相反应法 , 以3 种不同工艺在 C/ C 复合材料表面制备了SiC 涂层 ,并检测了其抗氧化性能 。以工业用 Si 和辅助剂 SiO 为原 2 料 ,在高温 、惰性环境中反应产生 SiO 蒸气 ,将其引入反应室与 C/ C 复合材料在不同温度下进行气相反应 ,在试样表面生成一层致密的 SiC 涂 层 。X 射线衍射分析表明:涂层是由β SiC 组成 。从试样截面的扫描电镜可知 :不同工艺制得的 SiC 涂层界面过渡带颗粒的微观形貌各异 。 经最优工艺制备的涂层过渡带很窄 ,有 β SiC 纳米晶须生成 ,且其抗氧化性能最佳 。 关键词 : 一氧化硅 ; 碳化硅涂层 ; 纳米晶须 ; 化学气相反应法 ( ) 中图分类号 : TQ174 　　文献标识码 : A 　　文章编号 : 0454 5648 2004 07 906 05 PREPARATION OF SiC COATING BY CHEMICAL VAPOR REACTION LIU Xingfang , HUANG Qizhong , SU Zhean , JIANG Jianxian ( State Key Laboratory for Powder Metallurgy , Central South University , Changsha　410083 , China) ( ) Abstract : Silicon carbide coatings were prepared on the surface of C/ C composites by chemical vapor reaction CVR with three different processes , and the oxidation resistance of SiC coatings was also measured. The compact coatings were gained on the surface of C/ C samples at different tempera tures by introducing SiO vapor , which gen