9半导体的光学性质.pptxVIP

第9章 半导体的光学性质;半导体的光学性质研究历史;9.1 半导体的光学常数;?;?;3．反射率和透射率 反射率 (9.1-10) 透射率 T?=?1?R (9.1-11) ;9.2 本 征 吸 收;人眼只能检测波长范围大致在0.4～0.7μm的光。 紫外区的波长范围为0.01～0.4μm。 红外区的波长范围为0.7～1000μm。;?;半导体材料吸收光子能量使电子从能量较低的状态跃迁到能量较高的状态。这些跃迁可以发生在： (a)不同能带的状态之间； (b)、(c)、(e)禁带中分立能级和能带的状态之间； (d)禁带中分立能级的不同状态之间； (f)同一能带的不同状态之间； ……它们引起不同的光吸收过程。;?;吸收系数与光子能量或波长的关系叫做吸收谱。 下图是半导体的吸收系数与波长的关系。 曲线在短波端陡峭上升是半导体吸收谱的一个显著特点，它标志着本征吸收的开始。吸收限附近的吸收谱叫做吸收边。吸收边对应于电子从价带顶向导带底的跃迁。 ;9.2.1 直接跃迁;9.2.1 直接跃迁;直接跃迁示意图;直接跃迁示意图;本征吸收的吸收系数;本征吸收的吸收系数;图9.5 直接跃迁吸收系数与光子能量的关系曲线;9.2.2 间接跃迁;9.2.2 间接跃迁;9.2.2 间接跃迁;图9.7 Ge、Si和GaAs的吸收谱;本征吸收长波限蓝移、红移;9.3 激 子 吸 收;9.3 激 子 吸 收;9.3 激 子 吸 收;9.3 激 子 吸 收;图9.8 激子能级和激子吸收光谱;9.4 其他光吸收过程;9.4.1 自由载流子吸收;图9.10 Ge的价带子带间跃迁;9.4.2 杂质吸收;1．中性杂质吸收;1．中性杂质吸收;2．电离杂质吸收;2．电离杂质吸收;9.5 PN结的光生伏打效应;9.5 PN结的光生伏打效应;PN结的光生伏打效应涉及以下三个主要的物理过程;9.5 PN结的光生伏打效应;9.5 PN结的光生伏打效应;9.5 PN结的光生伏打效应;9.5 PN结的光生伏打效应;9.5 PN结的光生伏打效应;9.5 PN结的光生伏打效应;9.6 半导体发光;9.6.1 直接辐射复合;9.6.1 直接辐射复合;9.6.1 直接辐射复合;9.6.1 直接辐射复合;9.6.2 间接辐射复合;9.6.2 间接辐射复合;9.6.2 间接辐射复合;9.6.3 浅能级和主带之间的复合;9.6.4 施主?受主对(D-A对)复合;9.6.4 施主?受主对(D-A对)复合;9.6.4 施主?受主对(D-A对)复合;9.6.5 通过深能级的复合;9.6.6 ??子复合;9.6.6 激子复合;9.6.7 等电子陷阱复合;9.7 非辐射复合;9.7.1 多声子跃迁;9.7.2 俄歇(Auger)过程;9.7.2 俄歇(Auger)过程;各种俄歇过程;各种俄歇过程;各种俄歇过程;9.7.3 表面复合;图9.20 表面处能态连续分布的模型;9.8 发光二极管（LED）;9.8 发光二极管（LED）;磷化镓发光二极管;LED的工作原理;带尾对带?带复合的影响;带尾对带?带复合的影响