硅基单电子晶体管的制备-ResearchGate.PDFVIP

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2019-02-21 发布于北京
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See discussions, stats, and author profiles for this publication at: /publication/252351792 Fabrication of Silicon SIngle Electron Transistors Article · February 2006 CITATION READS 1 142 3 authors: Yang Zhang Weihua Han University of Arkansas Chinese Academy of Sciences 41 PUBLICATIONS 700 CITATIONS 102 PUBLICATIONS 264 CITATIONS SEE PROFILE SEE PROFILE F. Yang Chinese Academy of Sciences 48 PUBLICATIONS 558 CITATIONS SEE PROFILE Some of the authors of this publication are also working on these related projects: nanoelectronics View project fragment velocity View project All content following this page was uploaded by Weihua Han on 28 May 2014. The user has requested enhancement of the downloaded file. 维普资讯纳米器件与技术 NanoelectronicDevice TechnoI 硅基单电子晶体管的制备张杨，韩伟华，杨富华 (中国科学院半导体研究所，北京 100083) 摘要：硅基单电子晶体管是一种极具潜力的新型量子器件。大多数硅基单电子晶体管的制备方法可以很好地与主流的CMOS工艺兼容。介绍了硅基单电子晶体管一些典型的具体制备工艺和方法以及该领域近年来的研究热点。关键词：硅基单电子晶体管；制备方法；硅一绝缘体技术；电子束曝光中图分类号：TN321 文献标识码：A 文章编号：1671．4776(2006)02．0073．07 Fabrication ofSilicon SingleElectron Transistors