电子科大微电子工艺复习提纲汇总.pptVIP

11.反应离子刻蚀RIE系统中，电源电极接RF发生器（阴极），另一电极接地作为阳极。请问放置在两个极板上的硅片刻蚀时选择比的情况？ 答：放置在阴极时硅片刻蚀的选择比要比放置在阳极时小。 原因：等离子体与阴极的电势差远大于与接地电极阳极的电势差，物理刻蚀作用强，因此硅片放置在阴极刻蚀的选择比小；硅片放置在阳极刻蚀时，物理刻蚀作用小，从而选择比大。 12. 哪种化学气体通常用来刻蚀多晶硅？为什么这种化学气体替代了氟基化学气体？ 答：Cl2 或HBr。不用SF6等F基气体是因为Cl基气体刻蚀多晶硅对下层的栅氧化层有较高的选择比，并且溴Br基气体的选择比比Cl基还高，而F基气体的选择比低。 13. 光刻胶是怎样去除的？ 答：1）干法：氧等离子体去胶 2）湿法：硫酸和双氧水的混合溶液浸泡并加热或发烟硝酸浸泡。 14.干法刻蚀也具有化学刻蚀成分，可采用什么方法在干法刻蚀沟槽或通孔时防止横向刻蚀？在刻蚀层间介质形成通孔时，在CF4、C2F6和C3F8中任意选择一种刻蚀气体，哪种刻蚀气体形成的通孔具有更小的横向钻蚀？为什么？ 答：在刻蚀图形的侧壁上形成抗腐蚀的聚合物，从而阻挡对侧壁的侵蚀，增强刻蚀的方向性。 选择C3F8刻蚀气体具有更小的横向钻蚀。在这三种刻蚀气体中，C3F8具有最大的C/F原子比，刻蚀时会形成最多的聚合物，因而具有最小的横向钻蚀。 15.描述高密度等离子刻蚀的特点。 答：1) 等离子体中反应基密度大增加了刻蚀速率； 2)系统中引入磁场使反应离子具有高方向性，可获得高深宽比的槽； 3)系统的自偏压低，反应离子的能量低，因而减小对Si片表面的轰击损伤。 第七章 金属化 学习内容： 1. 金属化的概念及目的。 2. 集成电路对金属薄膜的要求。 3. 先进的金属化技术。 4. 金属薄膜淀积的方法，蒸发和溅射的工艺原理。 学习要求： 1. 了解金属化概念和技术术语，以及集成电路对金属膜的要求。 2. 了解铝和铜的优缺点，了解大马士革工艺铜金属布线工艺。 3. 掌握阻挡层金属的作用，常用的阻挡层金属。 4. 掌握硅化物的作用，常用的硅化物，及自对准金属硅化物的形成。 5. 了解电子束蒸发过程及电子束蒸发的优缺点。 6. 了解溅射过程及溅射的优缺点，影响溅射率的因素。 1. 解释下列名词：互连、接触、通孔和填充塞。 答：互连指导电材料如铝、多晶硅或铜制成的连线用以传输电信号。 接触是指硅芯片内的器件与第一金属层之间在硅表面的连接。 通孔是穿过各层介质层从某一金属层到相邻的另 一金属层形成电通路的开口。 填充塞是指金属薄膜填充通孔以便在两层金属层之间形成电连接。 2. 列出并且描述金属用于硅片制造的7个要求。 答：1）电阻率低：能传导高电流密度 2）粘附性好：能够粘附下层衬底实现很好的电连接，半导体与金属连接时接触电阻低 3）易于淀积：容易成膜 4）易于光刻与刻蚀：对下层衬底有很高的选择比，易于平坦化 5）可靠性高：延展性好、抗电迁徙能力强 6）抗腐蚀性能好 7）应力低：机械应力低减小硅片的翘曲，避免金属线断裂、空洞。 3. 什么是欧姆接触？它的优点是什么？ 答：金属与硅接触时，该系统的I－V特性曲线符合欧姆定律，这样的接触被称为欧姆接触。它的优点：接触电阻低，利于器件到金属互连之间的电信号传输。 4. 讨论电迁徙是怎样影响稳定性的？ 答：当金属线流过大电流密度的电流时，电子和金属原子的碰撞引起金属原子的移动导致金属原子的消耗和堆积现象的发生，这种现象称为电迁徙现象。如金属铝，铝原子的移动发生原子损耗的地方会产生空洞甚至使铝线断路，发生铝原子堆积的地方会产生小丘使相邻的铝条短路。 5. 说明通常控制铝电迁徙的方法。在微电子工艺中，铝金属互联中的复合金属膜通常由4层金属膜组成，简要说明各层的名称及其作用？ 答：在铝中掺铜（0.5~4%），铝连线中的电迁徙能得到控制。 铝复合金属膜的组成：①Ti，粘附层；②TiN，阻挡层；③Al/AlCu，导电层；④TiN，阻挡层和抗反射层。 6. 列出并讨论引入铜金属化的五大优点。 答：1）电阻率更低（1.678μΩ－cm）使相同线宽传导的电流大，减小RC信号延迟增加芯片速度。 2）降低了功耗：减小了线的宽度，降低了功耗。 3）更高的集成度：更窄的线宽允许更高密度的电路集成。 4）良好的抗电迁徙性能：铜不需考虑电迁徙问题。 5）更少的工艺步骤：采用大马士革方法，减少20％～30％ 7. 什么是铜使用大马士革方法的主要原因？ 答：不能干法刻蚀铜。因为铜很难生成挥发性的刻蚀反应物而被真空系统抽走 。 8. 什么是阻挡层金属？阻挡层材料的基本特性是什么？哪些金属