表面钝化工艺.docVIP

表面钝化工艺 surface passivation technology 在半导体器件表面覆盖保护介质膜，以防止表面污染的工艺。1959 年，美国人 M.M.阿塔拉研 究了硅器件表面暴露在大气中的不稳定性问题，提出热生长二氧化硅(SiO2)膜具有良好的表面钝化 效果。此后，二氧化硅膜得到广泛应用。60 年代中期，人们发现二氧化硅膜不能完全阻挡有害杂 质(如钠离子)向硅(Si)表面的扩散，严重影响 MOS 器件的稳定性。以后研究出多种表面钝化膜生 长工艺，其中以磷硅玻璃 (PSG)、低温淀积二氧化硅、化学汽相淀积氮化硅(Si3N4)、三氧化二铝 (Al2O3)和聚酰亚胺等最为适用。 直接同半导体接触的介质膜通常称为第一钝化层。常用介质是热生长的二氧化硅膜。在形成金 属化层以前，在第一钝化层上再生长第二钝化层，主要由磷硅玻璃、低温淀积二氧化硅等构成，能 吸收和阻挡钠离子向硅衬底扩散。为使表面钝化保护作用更好并使金属化层不受机械擦伤，在金属 化层上面再生长第三层钝化层。这第三层介质膜可以是磷硅玻璃、低温淀积二氧化硅、化学气相淀 积氮化硅、三氧化二铝或聚酰亚胺。这种多层结构钝化，是现代微电子技术中广泛采用的方式。 对于钝化层的基本要求是：能长期阻止有害杂质对器件表面的沾污；热膨胀系数与硅衬底匹配； 膜的生长温度低；钝化膜的组份和厚度