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ANDNGTB20N60L2TF1GCN/D
NGTB20N60L2TF1G
高速开关应用
概要
通常, Power IGBT在开关工作的Cut-off时Ic发生
Tailing现象。因此目前, 当在开关电源或变频器等 应用资料
应用中使用IGBT时, 工作频率受限, 应用范围较小。
此次开发的FS-2 IGBT在开关时几乎不发生Ic
Tailing, 所以可使用于Interleave PFC电路, 尤其适
L负载开关工作测试与比较
用于输出功率超过1kW的空调PFC电路。
首先, 在L负载开关电路中进行了两者比较。关
IGBT的开关性能评价
于开关时间(tf, ton等), 开关损失(Eon, Eoff), 观测
作为左右电路效率的IGBT的特性, 重要的项目 点如fig.1所示。
为VCE(sat)特性和开关特性。但当频率超过15kHz 调节Ic电流进行测定并确认了 NPT型(WP.1)在
时, 开关特性成为支配性的。我们比较了作为 Cut-off时发生Ic tailing, 而FS-2几乎没有发生Ic
Power IGBT使用的NPT型与此次开发的FS-2型 tailing (WP.2) 。由此可见, NPT在电流较低的领域
的开关特性。 有发生Ic tailing, 而FS-2在广范围的电流领域显示
了良好的下降特性。当比较两者的Eoff的电流依存
当考虑适用于Interleave PFC电路的情况:
当负载轻时, 进入不连续模式或者临界模式, 而且 性时发现 (如fig.2所示), 在低电流领域的差较大,
在其他的电流领域两者的差很小。
由于Inductor的值低于1mH, Ic波形有倾斜。作为开
使用该开关损失Eoff的值来计算频率变化与开关
关损失, Eoff(下降)的值的评价比Eon(上升)具有支
配性。 损失。工作频率设定为f[Hz], 则计算如下:
P(Eoff)=f × Eoff [W]
连续模式工作的场合, 还要加上Eon的项目。由于
实际上波形具有倾斜, 故 EonEoff, 开关损失为
Eoff的影响变大。
Eoff VS Ic
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