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. .. 实验10 半导体泵浦激光原理 【实验目的】： 掌握LD泵浦Nd:YVO4 掌握连续激光器阈值概念及测量方法； 掌握连续激光器斜率效率及测量方法。 【实验原理】： 普通光源的发光——受激吸收和自发辐射 普通常见光源的发光是由于物质在受到外来能量作用时，原子中的电子就会吸收外来能量而从低能级跃迁到高能级，即原子被激发。激发过程是“受激吸收”过程。 自发辐射：在没有外界作用下，原子中的电子自发的由高能级向低能级跃迁，跃迁时将产生光辐射，此即为自发辐射。辐射光子能量为： hv= 原子的自发辐射过程完全是一个随机过程，所辐射的光之间完全没有联系。 波尔兹曼分布规律：在通常的热平衡条件下，处于高能级 E2 上的原子数密度 N2 ，远比处于低能级的原子数密度低。处于能级E的原子数密度N的大小随能级E的增加而指数减小，即 N ∝ e-EkT N2N1 ∝ 式中，k为波尔兹曼常量，T为绝对温度。因为E2 E1 ,所以 N2 《 普通广义的发光是包含了受激吸收和自发辐射两个过程。一般来说，这种光源所辐射光的能量是不强的，能量分散。 受激辐射和光的放大 亚稳态能级：在原子中可能存在这样一些能级，一旦电子从高能态向低能态跃迁时只能发生在l（角动量量子数）量子数相差 ±1 的两个状态之间，这就是一种选择规则，被激发到这种能级上时，由于不满足跃迁的选择规则，可使它在这种能级上的寿命很长，不易发生自发跃迁到低能级上。 受激辐射：处在亚稳态能级上电子，在外加光的诱发和刺激下可以使其迅速跃迁到低能级上，并放出光子。受激辐射理论是激光的基础。 受激辐射过程大致如下：原子开始处在高能级 E2 ，当一个外来光子所带的能量 hv 正好为某一对能级之差 E2-E1 ，则这原子可以在此外来光子的诱发下从高能级 E2 向低能级 粒子数反转 为使光源发射激光，关键是发光原子处在高能级的数目比低能级上的多，此即为粒子数反转。 【实验内容】： LD泵浦Nd：YVO4固体激光器的基本概念与主要参数测量 LD泵浦Nd：YVO4固体激光器具有以下特点： 、光谱匹配性好； ②、体积小，结构简单，装调方便，使用寿命长； 、具有倍频特性。 LD泵浦Nd：YVO4固体激光器的相关参数和曲线： ①、泵浦功率（Pin）-—输出功率（P 如下图： 随泵浦功率增加，激光器首先渐渐增加自发辐射，直至超过阈值，发生受激辐射。开始发生受激辐射时的泵浦功率值，为阈值功率，用 Pth ②、利用 Pin — Pout 曲线找到 双斜法：将 Pin — P b、常规法：输出光功率延长线与功率轴的交点作为激光器的阈值功率； c、导数法：在 Pin — Pout 曲线中，将输出功率对泵浦功率求二阶导数，求导数波峰所对应的功率值为 ③、Pin — Pout 该斜率为 Pth 以上的 Pin — Pout LD泵浦Nd：YVO4固体激光器光斑尺寸的测量 在各种不同光强分布形式中，基横模的光强分布不均匀性最小，因此需要激光器工作在基横模状态。激光基横模的光强分布是高斯分布，能够方便地测量光斑的大小。 取激光器的轴向为直角坐标系的z轴，以谐振腔的中心为原点，并在与主轴z垂直的平面上取x轴和y轴。 衡量光斑大小可以用光斑半径，它定义为光强衰减到中央最大光强的1/e2 的位置与z轴之间的距离，称为半宽度，记为W；也可用半极大全宽度，它定义为光强衰减到中央最大光强的一半的位置与z轴之间距离的2倍，称为半功率直径，记为 D1/2 。可得，D1/2 = 用刀口法可以测定光斑的大小和验证光斑的光强分布是高斯分布。实验中使刀口平行于y轴，沿垂直于x轴方向移动。当刀口缓慢推入光束时，设刀口挡住了 x ≤ a 的所有点。最后，归一化的高斯分布和相对功率与刀口位置关系曲线如下图所示： 相对功率为0.25和0.75的点分别位于高斯分布曲线极大值两侧，其距离为ep=0.6745σ。由实验得到的相对功率与刀口位置的关系曲线可确定ep的值。用ep的值可计算出光斑大小： W = 1.4826（2ep） D1/2=1.7456（2ep LD泵浦Nd：YVO4固体激光器远场发散角的测量 激光光能量在空间的分布高度集中在光的传播方向上，但它仍有一定的发散度。总的来说，光斑尺寸w(z)是随z的增加而增加的，成为两条对称曲线，在z=0处最细。 由上述可知，本实验用刀口法测量激光光斑尺寸。当利用一刀口垂直于光束传播方向，将遮盖部分光束，这将导致通过的激光功率下降。测出激光透过功率为94%和6%二值所对应的刀口相对位置，即可测得光束腰斑直径2ω值。 远场发散角：以光斑尺寸为轨迹的两条双曲线的渐近线间的夹角。如图所示： 测量远场发散角的方法有两种： 选取z zr 的两个不同值 z1 、z2 ，根据光斑尺寸定义，从I—ρ 曲线中分别求出