中央多弧源镀膜制造奈米级多层陶瓷镀膜之研究.PDF

█ 成 果 報 告 行政院國家科學委員會補助專題研究計畫 □期中進度報告 中央多弧源鍍膜製造奈米級多層陶瓷鍍膜之研究 計畫類別：█ 個別型計畫 □ 整合型計畫 計畫編號： NSC 94－2216－E－035－010－ 執行期間：2005年08月 01日至2006年07月31 日 計畫主持人：陳克昌 教授 共同主持人： 計畫參與人員： 成果報告類型(依經費核定清單規定繳交)：█精簡報告 □完整報告 本成果報告包括以下應繳交之附件： □赴國外出差或研習心得報告一份 □赴大陸地區出差或研習心得報告一份 █出席國際學術會議心得報告及發表之論文各一份 □國際合作研究計畫國外研究報告書一份 處理方式：除產學合作研究計畫、提升產業技術及人才培育研究計畫、 列管計畫及下列情形者外，得立即公開查詢 □涉及專利或其他智慧財產權，□一年□二年後可公開查詢 執行單位： 中 華 民 國 95 年 10 月 26 日 中文摘要 本研究係提供一種中央多弧源式CAP法，於中央配置一組陰極座陣列，陣列中三個陰 極座互相形成正三角柱的幾何關係；每一個陰極材分別構 成正三角柱的柱面，並有各自獨 立的電弧電源供應器供給電源。如此之靶座配置方式不但可以增加工件掛載量、免除習用 中空圓柱陰極的製造困難度，且可以利用每一組陰極座掛載不同的靶材配合適當的基材轉 速，從而產出多元素、奈米級多層鍍膜且符合商業運用的 鍍膜設備。基材在不同轉速設計 下，以兩個鈦靶及一個鋯靶沉積多層氮化物鍍膜。以微硬度計量測其表面硬度；以刮痕試 驗法量測其鍍膜附著性，並利用 SEM觀察其截面形態與膜厚及其附屬之 EDS進行截面縱深 元素掃描成份分析；以Ｘ光繞射法測定其結構 。研究結果顯示當基材轉速較慢時，形成 TiN/ZrN 多層鍍膜，每一單層皆具有(111)之優選方位；而當基材轉速高於 10 rpm以上時，形 成奈米級之(Ti/Zr)N 多層鍍膜結構，且每一單層皆具有(111)之優選方位。由於產生契合式應 變效應，相對表面硬度為最高。而在已達奈米級層狀結構 之鍍膜則因層間之剪彈性模數差 異，阻擋應力穿越界面，附著力較高。研究結果顯現以中央多弧源 CAP法所設計之機構， 在經適當基材轉速設計來滿足鍍膜材質設計需求之可行性獲得證實。 關鍵詞 :中央多弧源、陰極電弧離子被覆法、多元素、多層鍍膜、陶瓷鍍膜、奈米結構。 Abstract The purpose of this research is to provide a new CAP method with Central-configured multi-arc sources (CCMA), where the array includes three cathodes f