正电子湮没谱学研究半导体材料微观结构的应用进展曹兴忠-物理学报.PDF

正电子湮没谱学研究半导体材料微观结构的应用进展 曹兴忠 宋力刚 靳硕学 张仁刚 王宝义 魏龙 Advances in applications of positron annihilation spectroscopy to investigating semiconductor mi- crostructures CaoXing-Zhong SongLi-Gang JinShuo-Xue Zhang Ren-Gang WangBao-Yi WeiLong 引用信息Citation: ActaPhysicaSinica, ,027801(2017) DOI: 10.7498/aps.66.027801 在线阅读Viewonline: /10.7498/aps.66.027801 当期内容Viewtableofcontents: /CN/Y2017/V66/I2 您可能感兴趣的其他文章 Articlesyoumaybeinterestedin 慢正电子束流技术在金属/合金微观缺陷研究中的应用 Applicationsandprogressofslowpositronbeamtechnique in the study ofmetal/alloy microdefects 物理学报.2015,64(24): 247804 /10.7498/aps.64.247804 用正电子湮没研究纳米碲化铋的缺陷及其对热导率的影响 Positronannihilationstudieddefectsandtheirinfluenceonthermalconductivityofchemicallysynthesized Bi Te nanocrystal 物理学报.2015,64(20): 207804 /10.7498/aps.64.207804 氘化对KH PO 晶体微观缺陷影响的正电子湮没研究 InfluenceofdeuterationontheKH PO crystalmicro-defectscharacterizationbyusingpositronannihila- tionspectroscopy 物理学报.2015,64(9): 097802 /10.7498/aps.64.097802 哈斯勒合金Ni-Fe-Mn-In 的马氏体相变与磁特性研究 MartensitictransformationandmagneticfeaturesinNi-Fe-Mn-In Heusler alloy 物理学报.2015,64(6): 066402 /10.7498/aps.64.066402 物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 66, No. 2 (2017) 027801 综 述 正电子湮没谱学研究半导体材料微观结构的 应用进展 曹兴忠 宋力刚 靳硕学 张仁刚 王宝义 魏龙 1)(中国科学院高能物理研究所, 北京 100049) 2)(武汉科技大学理学院, 武汉 430000) ( 2016 年8 月30 日收到; 2016 年10 月18 日收到修改稿) 正电子湮没谱学技术在研究材料微观缺陷、微观结构方面有着独特的优势, 尤其是在针对阳离子空位等 负电性空位型缺陷的研究中, 可以获取材料内部微观缺陷的种类与分布的关键信息. 正电子湮没寿命和多普 勒展宽能谱是正电子湮没谱学的最基本的分析方法, 在半导体材料的空位形成、演化机理以及分布等研究方 面能够发挥独特的作用; 此外, 慢正电子束流技术在半导体薄膜材料的表面和多层膜材料的界面的微观结构 和缺陷的深度分布的研究中有广泛的应用. 通过正电子技术所得到的微观结构和缺陷、电子密度和动量分布 等信息对研究半导体微观结构、优化半导体材料的工艺和性能等方面有着指导作用. 本文综述了正电子湮没 谱学技术在半导体材料方面的应用研究进展, 主要围绕正电子研究平台