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中频磁控溅射AlN薄膜的电学性能研究-本原扫描探针显微镜SPM
第30卷第2期 光 电 子 技 术 V o l. 30 N o. 2
2010 年6 月 O PTO EL ECTRON IC T ECHNOLO GY Jun. 2010
研究与试制
中频磁控溅射A lN 薄膜的电学性能研究①
贾 贞, 翁卫祥, 袁军林, 张 杰, 李 昱, 郭太良
(福州大学 物理与信息工程学院, 福州 350002) n
摘 要: 利用中频反应磁控溅射在玻璃衬底上沉积了不同溅射功率的 薄膜。采用 射线
A lN X
衍射仪、原子力显微镜和电击穿场强测试系统研究了薄膜的结构和电学性能, 并对该介质薄膜的导
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通机制进行了分析。结果表明, 所制备的薄膜呈非晶态, 5 kW 溅射功率下制备的薄膜具有较好的
.
表面结构, 并具有较高的耐击穿场强, 约为2 1 ; 结合理论分析发现, 在不同的场强条
M V cm A lN
件下以某一种导通作为主要的导通机制: 低场强区服从欧姆定律, 随着场强升高, 在不同的阶段分
别以肖特基效应, 普尔弗兰凯尔效应和 效应为主。
F N m
关键词: A lN 薄膜; 中频反应磁控溅射; 电学性能; 导通机制
中图分类号: O 484 文献标识码: A 文章编号: 1005488X (2010)
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Ele c trica l P rope rtie s of A lN F ilm s D e pos ite d by M idd le
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F re que ncy M a gne tron S putte ring
J ia Zhen , W eng W eix iang , Yuan Jun lin , Zhang J ie , L i Yu , Guo T ailiang
(Colleg e of P hy sics and Inf orm a tion E ng ineering , F uz hou U n iversity ,
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F uz hou , 350002, CH N )
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Abstract: A lum inum n itride th in film s w ere depo sited on glass s
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