平带条件下SOInLIGBT漂移区表面小注入间接复合寿命模拟.pdfVIP

平带条件下SOI nLIGBT 漂移区表面小注入间接复合 寿命模拟1 张海鹏，华柏兴，宋强，徐丽燕，林弥，吕伟锋，牛小燕，吕幼华 杭州电子科技大学电子信息学院，浙江杭州（310018 ） E-mail：islotus@163.com 摘 要：首先简介了所提出的一种基于硅-二氧化硅界面态能级连续分布多项式插值近似的 平带条件下SOI nLIGBT 漂移区表面小注入间接复合寿命模型。接着通过对该模型的分步具 体化探讨了该模型的矩阵模拟算法。然后利用循环嵌套矩阵模拟算法对该模型进行编程模 拟。最后对模拟结果进行讨论分析。 关键词：小注入；SOI nLIGBT；漂移区表面；间接复合寿命；模拟；界面态分布 1. 引 言 在文献[1]中，我们首先提出了一种基于硅-二氧化硅界面态能级连续分布多项式插值近 似的平带条件下SOI nLIGBT 漂移区表面小注入间接复合寿命模型。本文中我们在将该模型 具体化的过程中探讨该模型的模拟算法，然后利用计算机编程模拟进行算法验证并给出模拟 结果。最后根据模拟结果讨论分析在一定条件下硅表面间接寿命对器件有关电学特性的影 响。 2. 小注入间接复合寿命模型 [2] 场终止型SOI nLIGBT 的截面结构示意如图1 所示 。由图可见，场终止型SOI nLIGBT 的漂移区有两个半导体区域构成：一个是轻掺杂的n 型漂移区；另一个是较高掺杂的n 型缓 冲区，又称为n-buffer 区。对于采用沟槽隔离CMOS 工艺制作好的SOI nLIGBT，除了由图 1 中可以见到的漂移区正背 Si-SiO2 界面之外，还存在漂移区侧表面。当一个 SOI nLIGBT 漂移区表面积足够大时，SOI nLIGBT 工作过程中其漂移区表面间接复合对其电学特性的影 响将不可忽略，甚至可能起主要作用。 （a ）抗ESD SOI nLIGBT 截面示意图 1本课题得到国家自然科学基金资助（批准号）和浙江省自然科学基金（批准号：y104599 ）的 资助。 -1- （b ）槽栅槽漏SOI nLIGBT 截面示意图 图1 SOI nLIGBT 的截面结构示意图 文献[1]中提出的一种基于硅-二氧化硅界面态能级连续分布多项式插值近似的平带条件 下SOI nLIGBT 漂移区表面小注入间接复合寿命模型如下， ⎡ ⎤ 1 r EC 1 N dE EC 2 EF N dE Us p ⎢ SS + N SS dE + SS E −E ⎥ (1) ∫ 0.9(E −E ) ∫ ∫ 0.9( C 2 ) τs LD ⎢ EF 1.1+ F EC 1 EC 2 1.1+ E −E ⎥ E −E F C 2