空穴平衡载流子.PPT

第二次作业 简单叙述微电子学对人类社会的作用 第一次作业 列举出你见到的、想到的不同类型的集成电路及其主要作用 用你自己的话解释微电子学、集成电路的概念 半导体及其基本特性 固体材料：超导体: 大于106(?cm)-1 导 体: 106~104(?cm)-1 半导体: 104~10-10(?cm)-1 绝缘体: 小于10-10(?cm)-1 ？什么是半导体 从导电特性和机制来分： 不同电阻特性 不同输运机制 1. 半导体的结构 原子结合形式：共价键 形成的晶体结构： 构 成 一 个正四 面体， 具 有 金 刚 石 晶 体 结 构 半导体的结合和晶体结构 金刚石结构 半导体有元素半导体，如：Si、Ge 化合物半导体，如：GaAs、InP、ZnS 2. 半导体中的载流子：能够导电的自由粒子 本征半导体：n=p=ni 电子：Electron，带负电的导电载流子，是价电子脱离原子束缚 后形成的自由电子，对应于导带中占据的电子 空穴：Hole，带正电的导电载流子，是价电子脱离原子束缚 后形成的电子空位，对应于价带中的电子空位 3. 半导体的能带 (价带、导带和带隙) 量子态和能级 固体的能带结构 原子能级 能带 共价键固体中价电子的量子态和能级 共价键固体：成键态、反键态 原 子 能 级 反 成 键 态 成 键 态 价带：0K条件下被电子填充的能量最高的能带 导带： 0K条件下未被电子填充的能量最低的能带 禁带：导带底与价带顶之间能带 带隙：导带底与价带顶之间的能量差 半导体的能带结构 导 带 价 带 Eg 半导体中载流子的行为可以等效为自由粒子，但与真空中的自由粒子不同，考虑了晶格作用后的等效粒子 有效质量可正、可负，取决于与晶格的作用 电子和空穴的有效质量m* 4.半导体的掺杂 B As 受 主 掺 杂 施 主 掺 杂 施主和受主浓度：ND、NA 施主：Donor，掺入半导体的杂质原子向半导体中 提供导电的电子，并成为带正电的离子。如 Si中掺的P 和As 受主：Acceptor，掺入半导体的杂质原子向半导体中 提供导电的空穴，并成为带负电的离子。如 Si中掺的B 施主能级 受主能级 杂质能级：杂质可以使电子在其周围运动形成量子态 本征载流子浓度： n=p=ni np=ni2 ni与禁带宽度和温度有关 5. 本征载流子 本征半导体：没有掺杂的半导体 本征载流子：本征半导体中的载流子 载流子浓度 电 子 浓 度 n, 空 穴 浓 度 p 6. 非本征半导体的载流子 在非本征情形: 热平衡时: N型半导体：n大于p P型半导体：p大于n 多子：多数载流子 n型半导体：电子 p型半导体：空穴 少子：少数载流子 n型半导体：空穴 p型半导体：电子 7. 电中性条件: 正负电荷之和为0 p + Nd – n – Na = 0 施主和受主可以相互补偿 p = n + Na – Nd n = p + Nd – Na n型半导体：电子 n ? Nd 空穴 p ? ni2/Nd p型半导体：空穴 p ? Na 电子 n ? ni2/Na 8. 过剩载流子 由于受外界因素如光、电的作用，半导体中载流子的分布偏离了平衡态分布，称这些偏离平衡分布的载流子为过剩载流子 公式 不成立 载流子的产生和复合：电子和空穴增加和消失的过程 电子空穴对：电子和空穴成对产生或复合 9. 载流子的输运 漂移电流 迁移率? 电阻率? 单位电场作用下载流子获得平均速度 反映了载流子在电场作用下输运能力 载流子的漂移运动：载流子在电场作用下的运动 引 入 迁 移 率 的 概 念 影 响 迁 移 率 的 因 素 影响迁移率的因素： 有效质量 平均弛豫时间（散射〕 体现在：温度和 掺杂浓度 半导体中载流子的散射机制： 晶格散射（ 热 运 动 引 起） 电离杂质散射 扩散电流 电子扩散电流： 空穴扩散电流： 爱因斯坦关系: 载流子的扩散运动：载流子在化学势作用下运动 过剩载流子的扩散和复合 过剩载流子的复合机制： 直接复合、间接复合、 表面复合、俄歇复合 过剩载流子的扩散过程 扩散长度Ln和Lp: L=(D?)1/2 描述半导体器件工作的基本方程 泊松方程 高斯定律 描述半导体中静电势的变化规律 静电势由本征费米能级Ei的变化决定 能带向下