用x射线衍射评价硅基啼福汞分子束外延材料及优化其生长条件研究综述.PDF

第 9期 《红 外》月刊 用x射线衍射评价硅基啼福汞分子束外延 材料及优化其生长条件研究综述 王元樟 ’ (中国科学院上海技术物理研究所，上海，200083) 丁N又I 八 1引言 延生长出蹄镐汞薄膜以来，经过二十几年的努 力，在材料生长方面已经取得了很大进展。人们 啼福汞(Hgl-xCdyTe)三元合金化合物半导 选用各种不同材料，如CdZnTe、GaAs、A1203、 体是一种重要的红外材料。人们可以通过调节 Si,InSb等作为衬底来进行生长，生长出了晶 其组分x值的大小连续改变其禁带宽度 从〔OeV 体质量较好的蹄锡汞单晶薄膜。由于GaA:的机 、1.6CV)，从而获得几乎覆盖整个红外区域的 响应波长。用它制备的红外探测器在军事、民 械性能比较好，在红外波段没有吸收，且价格相 用等领域得到了广泛应用。在当前大规模红外 对便宜，被广泛地用于外延衬底。但是GaAs材 焦平面器件的研制中，高性能器件的制备需要 料的晶格与蹄锡汞存在着较大的晶格失配，其 高质量、大面积、组分均匀的啼镐汞材料，与 晶格失配度在14.6%左右，利用它作为衬底生长 MOCVD,LPE等其他外延技术相比，分子束 的MCT材料的位错密度在106cm-2~107cm-2 外延技术在表面形貌的质量、组分厚度均匀性 左右，而长波器件性能的好坏，很大程度上受 上具有独特的优势，并且，随着焦平面器件规 限于此，为了降低材料的位错密度，提高长波 模的不断扩大和光敏元尺寸的进一步减小，这 器件的RoA，现在常选用与MCT(x=0.22)晶格 种优势显得日趋重要。分子束外延技术还具有 匹配的CdZnTe(0.04)作为衬底来降低位错，并 超高真空环境以及低温生长等优点，它可以根 获得了105cm “的位错密度，X射线双晶衍射 据不同的需要随时调整生长条件来生长不同组 曲线的半峰宽约为26弧秒的结果121。但是 分的外延薄膜或多层异质结结构，且生长出的 由于ZnCdTe衬底的价格昂贵、与Si读出电路 外延材料具有很高的晶体质量，因此啼镐汞分 的热匹配问题以及ZnCdTe面积的局限(最大面 子束外延材料已成为当前发展高性能红外焦平 面器件的首选。而X射线衍射作为研究材料的 积约为30cmz)等问题，人们又试图选用Si作为 晶体结构、显微组织、化学成分与性能间关系 衬底。同样，Si衬底同啼镐汞外延层存在着较 的重要手段，在评价蹄锅汞分子束外延材料及 大的晶格失配(高达19.3%)。为解决这一问题， 优化其生长条件的研究方面，起着不可替代的 有人采用了在Si衬底上先外延CdTe过渡层 ((X 作用。 射线双晶衍射曲线的半峰宽已达到63弧秒)131 再外延硫锦汞材料的方法，使得在Si衬底上外 2蹄锡汞分子束外延衬底材料的选 延的谛镐汞薄膜的晶体质量也逐渐提高141。现 择 在，国外已成功地在4inSi衬底上生长出了高质 从1981年J.P.Faurie111首次利用分子束外