西电集成电路制造技术-第六章CVD.ppt

集成电路制造技术 Fabrication Technology of IC School of Microelectronics Xidian University 2013.10 第六章 化学气相淀积 化学气相淀积：CVD，Chemical Vapour Deposition。 定义：一种或数种物质的气体，以某种方式激活后，在衬底发生化学反应，淀积出所需固体薄膜的生长技术。 通过气态物质化学反应在衬底上淀积薄膜。 特点：温度低、薄膜成分厚度易控制、均匀重复性好、台阶覆盖优良、适用范围广、设备简单。淀积IC所需各种薄膜。 CVD薄膜： SiO2、Si3N4、PSG、BSG(绝缘介质) 多晶硅、单晶硅、非晶硅、金属(互连线/接触孔/电极/铝、钨、钼) CVD系统：常压CVD(APCVD) 低压CVD(LPCVD) 等离子CVD(PECVD) 6.1 CVD模型 6.1.1 CVD的基本过程 ①传输：反应剂从气相经附面层(边界层)扩散到(Si)表面； ②吸附：反应剂吸附在表面； ③化学反应：在表面进行化学反应，生成薄膜分子及副产物； ④淀积：薄膜分子在表面淀积成薄膜； ⑤脱吸：副产物脱离吸附； ⑥逸出：脱吸的副产物从表面扩散到气相，逸出反应室。 6.1