积分变化法在我们曾用拉普拉斯变换方法求解常.DOCVIP

第十三章 积分变化法 在第六章，我们曾用拉普拉斯变换方法求解常微分方程。经过变换，常微分方程变成了代数方程，解出代数方程，再进行反演就得到了原来常微分方程的解。 积分变换在数学物理方程（也包括积分方程、差分方程等）中亦具有广泛的用途。经过变换以后，方程变得简单了，例如偏微分方程变成了常微分方程，解出常微分方程，再进行反演，就得到了原来偏微分方程的解。利用积分变换，有时还能得到有限形式的解，而这往往是用分离变数法不能得到的。 本章主要介绍傅里叶变换、拉普拉斯变换在求解偏微分方程中的应用。 §13.1 傅里叶变换法 用分离变数法求解有界空间的定解问题时，所得到的本征值谱是分立的，所求的解可表为对分立本征值求和的傅里叶级数。对于无界空间，用分离变数法求解定解问题时，所得到的本征值谱一般是连续的，所求的解可表为对连续本征值求积分的傅里叶积分。因此，对于无界空间的定解问题，傅里叶变换是一种很适用的求解方法。本节将通过几个例子说明运用傅里叶变换求解无界空间（含一维半无界空间）的定解问题的基本方法，并给出几个重要的解的公式。 例1 求解无限长弦的自由振动 解 应用傅里叶变换，即用遍乘方程及定解条件各项。并对空间变数积分（时间变数视作参数）。原来的定解问题变换成 其中、分别是、的傅里叶变换。原来的定解问题变成了常微分方程及初值条件，其通解是 代入初始条件可定出 这样 最后，对作逆傅里叶变换。应用延迟定理与积分定理，结果是 （13.1.1） 这正是达朗贝尔公式（7.4.7）。 例2 求解无限长细杆的热传导问题 解 作傅里叶变换，定解问题变换为 这个常微分方程的初始值问题的解是 再进行傅里叶变换， 交换积分次序 引用积分公式。 置，以利用此积分公式，即得 。 （13.1.2） 例3 求解无限长细杆的有源热传导问题 解 作傅里叶变换，问题变换成非齐次常微分方程与初始条件 为求解这个非齐次常微分方程，用遍乘方程各项，得 对积分一次，计及零初始值， 进行逆傅里叶变换， 交换积分次序 引用例2的积分公式计算内的积分，最后结果是 （13.1.3） 例4 限定源扩散。半导体扩散工艺的硼、磷扩散是慢扩散，杂质扩散深度远远小于硅片厚度。研究杂质穿过硅片的一面向里扩散问题时，完全可以不管另一面的存在，把硅片看作无限厚，虽然实际上还不到一毫米厚。这就是说，把硅片的内部当作半无界空间。在限定源扩散中，是只让硅片表层已有的杂质向硅片内部扩散，但不让新的杂质穿过硅片表面进入硅片。这里，所求解的是半无界空间中的定解问题 其中是每单位面积硅片表层原有的杂质总量。 解 没有杂质穿过硅片表面即是第二类齐次边界条件。读者已经熟悉，这种边界条件意味着偶延拓，即求解无界空间中的定解问题 这个初始条件其实也就是。这样，问题成为 引用（13.1.2）式，得到答案 称为高斯函数，它的数值有表格可查，参看附录三。 图13-1描画了杂质浓度在硅片中的分布情况。曲线1对应于某个较早时刻，曲线2、3依次对应于越来越迟的时刻。杂质浓度趋于均匀的趋势很明显。每根曲线下的面积都等于，这反映了杂质总量不变。每根曲线在跟纵轴相交处的切线都是水平的，即硅片表面的浓度梯度为零，这反映了没有新的杂质进入硅片。 例5 恒定表面浓度扩散。在恒定表面浓度扩散中，包围硅片的气体中含有大量杂质原子，它们源源不断穿过硅片表面并向硅片内部扩散。由于气体中杂质原子供应充分，硅片表面杂质浓度得以保持某个常数。这里，所求解的是半无界空间中的定解问题 解 首先应把非齐次边界条件化为齐次的。为此，令 ， 就把的定解问题转化为的定解问题 这里是第一类齐次边界条件。读者已经熟悉，这种边界条件意味着奇延拓，即求解无界空间中的定解问题 引用（13.1.2）式，得到答案 在右边第一个积分中令，；在右边第二个积分中令，。于是， 由于被积函数是偶函数，所以 通常把叫做误差函数，记作，它的数值有表格可查，参看附录三。这样 ， 所求的解 。 叫做余误差函数（error function complement），记作。这样 泊松公式。求解三维无界空间中的波动问题 解 作傅里叶变换，问题变换为常微分方程的初始值问题 这个问题的解是 再进行逆傅里叶变换， 引用§5.3例1结果， 应用延迟定理， 由于被积公式中出现，对的积分只需在球面上进行，以点（确切的说，径矢为的点）为球心而半径为。 （13.1.4） 式中是球面的面积元。答案（13.1.4）叫作泊松公式。 三维无界空间中的波动，只要知道它的初始状况，用泊松公式可以推算它在以后任一时刻的状况。具体地说，为求时刻在点的，应以点为球心，以为半径作球面，然后拿初始扰动和按（13.1.4）在球面上积分。这