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一填空 1） 导电能力介于 和 之间的物质称为半导体。 TOC \o 1-5 \h \z 2） P型半导体又称为 半导体，其内部 数量多于 数 量。 3） 在本征半导体内掺入 价元素可形成P型半导体。 4） 半导体二极管导通的充要条件是： 。 5） 晶体二极管按用途可分为 和 o 6） 三极管工作吋，通常在它的 加正向电压， 加反向 电压。 7） 二极管内电流的分配关系： o穿透电流IcBO与 【CEO之间的关系： — 8） 结型场效应管的输入电阻很大，一般可达 O 9） 当晶体二极管导通后，则硅二极管的正向压降为 V,错二极 管的正向压降 V,各自的门槛电压 。 10） 二极管的主要参数： , o 11） 整流是指 ,实现这种功能的电路称为 12） 滤波是 ,常见滤波电路有 13） 光敏二极管的主要参数： 和 o 14） 稳压二极管的原理是 o 15） 发光二极管的门槛电压是 V,击穿电压是 Vo 16） LED的主要参数是 、 和 。 17） 稳压二极管的主耍参数是 、 、 、 ⑻、 O 19）电容滤波器的优点是 o发光 二极管工作在 区，光敏二极管工作在 区，稳压二极管工作 TOC \o 1-5 \h \z 20） 在 区，普通二极管工作在 区。 21） 发光二极管所采用的半导体材料是 、 、 。 22） 为保证三极管工作在放大区，要求发射结 ,集电结 o对于NPN 型硅 23） 管，应使V沪 V。 24） -:极管发射结正向压降VBE随温度升高而 ,反向饱和电流ICB0随温度 的升高而 , B随温度升高而 。 25） 场效应管是一种 控制器件，它的漏极电流受 控制。它的输入电 阻 ,栅极电流 o 26） 双极型三极管从结构上可以分为 和 两种类型，他们工作吋有 和 两种载流子参与导电。M0S场效应管从结构上分成 和 两种类型，他们的导电过程仅仅取决于 载流子的流动。 27） 放大器的输入电阻越 ，则向信号源吸取的电流越小;输出电阻越 , 放大器的带负载能力越强。 28） 当3频率的增大下降到最大值的0. 707倍时所对应的频率称为 ,记 作—o当下降到1所对的频率称为 ，记作 。 29） 在多级放大器中，总的通频带比其中每一级的通频带 。总的下限频率 30） Fk 每一级的下限频率，总的上限频率F? 每一级的上限频率。 31） 在阻容耦合共射电路种中，电压放大倍数在低频段下降主要与 电容有 关，在高频段下降主要与 电容有关。 32） 表征放大器中的晶体三极管的静态工作点的参数有 、_和 。 33） 振荡器分为高频振荡器和低频振荡器。LC振荡器在应用时，当作 振荡器，RC振荡器在应用时，当作 振荡器。 34） 用来放大 、 或 信号的放人器称为直 流放大器。 35） 运算放大器实质上是一种具有 的多级直耦放大器。 36） 直流放大器存在的两个特殊问题分别是 TOC \o 1-5 \h \z 和 O 37） 引起零点漂移的原因是 、 、 、 其中 最难控制。 38） 零点漂移的表示方法 ,简 称 O 39） 理想运放的条件是 、 、 、 和 O 40） 根据 的不同，功率放大器分为 、 和 O 41） 差动放大电路输入端和输岀端有 种解法。 42） 典型差动放大器较基本差动放大器的区别在 于 、 、 ,其作用分别 为 、 、 43） 差动放大器的两种输入方式指 、 o 44） 共模抑制比是指对 的抑制能力和对 的放 大能力，因此共模抑制比越 越好，其公式 为 O 45） 复合管是指 。复合管组 合 的 原 则 是 46）复合管的放大倍数为各管的放大倍数之 47） 对称式差分电路中，当温度升高时，因电路对称，输岀变量 VoF ,且极性 ,共模输出电压V°c二 ,故此电路 有抑制零漂的能力。 48） 集成运放最基本最广泛的应用是比例运算和放大器，又分 TOC \o 1-5 \h \z 49） 为 和 o 50） 集成运放具有 、 、 、 等 优点，因而被广泛应用于各个领域。 51） 集成运放的电源电压接反或电源电压突变、输入电压过高、输出 端过载或短路时，都可造成运放的损坏，所以使用保护电路。保 护电路有 、 、 O 52） 集 成 运 放 常 见 的 故 障 有 、 、 o 53） 已类推挽功率放大电路，由于功放管的静态工作点选在管子的截 止区和放大区的交界处，该区域的输入特性存在非线性，故在 处有失真。 54） 互补对称推挽电路由两个导电 不同的晶体管组成，为了信 号不失真，两个互补管的 和 等参数应当完全一致。 即两个互补管电路需完全。 55） 单向晶体管是由_层_端半导体组成，内部有 个PM 56） 结，它的三个电极分别称为 、 和 o 57） 单向晶闸管导通的条件是（1） i? 。 58）