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行业标准《硅材料用高纯石墨制品中杂质含量的测定电感耦合等离子体发射光谱法》（送审稿）编制说明 一、工作简况 1、 项目背景和立项意义 半导体行业的发展与石墨材料在半导体材料制造中的应用是紧密联系的。在半导体 行业屮，直拉单晶炉的加热系统大量采用高纯石墨材料；在半导体硅片加工（包括区熔、 外延、外形加工等）中石墨材料作为辅助工具、部件；在铸锭多晶硅时，牛产装置铸锭 炉上也大量采用高纯石墨的加热材料及高纯碳毡隔热材料等。屮国40%的石墨产量用于 钢铁行业耐火材料，其中直拉单晶炉石墨的使用量占到石墨行业10%左右，硅片加工以 及铸锭在4%左右，太阳能电池用多晶硅锭材料的大量需求直接将石墨材料推动到一个 崭新广阔的市场。目前石墨材料已成为多晶硅生产中重要的、必不可少的配套材料。基 于以上原因，为避免石墨制品在高温下和氯硅烷发生副反应，以及本身杂质挥发，导致 反应产物中碳和痕量金属杂质含量增加。采用高纯度的石墨制品作为反应器内部的反应 室和加热兀件，可减少石墨制品对多晶硅品质的影响。由于对多晶硅用石墨制品只有物 理方面的相关技术指标及检测方法，对于杂质含量的技术指标及检测方法暂无，为避免 石墨制品中杂质对多晶硅品质的影响，故对石墨件中杂质含量进行分析。 2、 任务来源 根据《工业和信息化部办公厅关于印发2014年第三批行业标准制修订计划的通知》 （工信厅科函[2014] 628号）的要求