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半导体量子阱结构CV特性研究-精选文档.pptVIP

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  • 2019-03-02 发布于江苏
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半导体量子阱结构CV特性研究-精选文档.ppt

    半导体量子阱结构 C-V特性研究;原理介绍;T=291K;仪器精度问题？;分析： 负偏压较大时，低频率下电容甚至会出现负值——可能与仪器测量原理有关 正偏压下，低频率的电容值相对大一些 　　——等效电路：量子阱＝电容//电导　　　　;T;根据形状规律，可分为三阶段：;低温段： 　　限制在量子阱内的载流子热激发增强 表观载流子浓度分布，峰位即可代表量子阱位置;高温段： 　　载流子热运动加剧 温度越高，肖特基势垒越弱;整个温度范围：;f/kHz;Thank you!

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