GaNHEMT衬底难题-化合物半导体.PDFVIP

技术 | Technology – 衬底 GaN HEMT ：衬底难题 对于 GaN HEMT 来说，本征衬底的额外成本是否值得支付？ Mohammed Alomari，斯图加特微电子学院（IMS CHIPS） 作为现有的电力电子技术，硅有其局限性。 我们在IMS CHIPS （THE INSTITUTE FOR 这包括在高于 1 MHz 频率下结合500 V 以 MICROELECTRONICS STUTTGART ）的团队通过 上工作的系统中，无法提供具有理想效率的直流 深入了解GaN HEMT 的能力和弱点，仔细研究了 电源转换。这是一个主要障碍，因为许多应用中 这些问题。我们研究的一个关键问题是，当在硅 都需要这些条件，包括：用于汽车和工业电源的 片上或在本征衬底上制备这种器件时，是否能够 电机驱动；电动车辆的动力单元（它们插入到充 获得更多的商业成功。下面就是我们研究的结论。 电单元和电池之间，或者电池和电机之间）；光伏