电池片电性能参数及影响因素介绍.docxVIP

电池片电性能参数及影响因素介绍.docx

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电性能参数及影响因素介绍 摘要:   一、电参数介绍   1、各个参数之间的关系  A.在所有参数中,只有电压和电流是测量值,其他参数均是计算值。  B.Pmpp为在I-V曲线上找一点,使改点的电压乘以电流所得最大,该点对应的电压就是最大功 ...   一、电参数介绍 ?   1、各个参数之间的关系   A.在所有参数中,只有电压和电流是测量值,其他参数均是计算值。   B.Pmpp为在I-V曲线上找一点,使改点的电压乘以电流所得最大,该点对应的电压就是最大功率点电压Umpp,该点对应得电流就是最大功率点电流Impp   C.Rs为在光强为1000W/M2和500W/M2下所得最大功率点的电压差与电流差的比值,只是一个计算值,所以有时候会出现负值的情况   D.Rsh为暗电流曲线下接近电流为0时曲线的斜率   E.Irev1为电压为-10V时的反向电流   F.Irev2为电压为-12V时的反向电流   G.Rs和Rsh决定FF   H.Rsh和Irev1、Irev2有对应的关系   I.计算公式:   J.Ncell= Pmpp/S(硅片面积)   K.Pmpp= Umpp*Impp= Uoc*Isc*FF   L.FF=(Umpp*Impp)/(Uoc*Isc) 二、转换效率的影响因素 三、测试外部参数影响 ?   正常测试温度为25±2℃,随着温度的升高,开路电压急剧降低,短路电流略微增大,整体转换效率降低   正常光强为1000±50W/M2,随着光强的降低,开路电压略微降低,短路电流急剧下降,整体转换效率降低   四、串阻Rs组成   测试中的串联电阻主要由以下几个方面组成:   1.材料体电阻(可以认为电阻率为ρ的均匀掺杂半导体)   2.正面电极金属栅线体电阻   3.正面扩散层电阻   4.背面电极金属层电阻   5.正背面金属半导体接触电阻   6.外部因素影响,如探针和片子的接触等   烧结的关键就是欧姆接触电阻,也就是金属浆料与半导体材料接触处的电阻。   可以这样考虑,上述1.2.3.4项电阻属于固定电阻,也就是基本电阻;   5则是变量电阻烧结效果的好坏直接影响Rs的最终值;   6属于外部测试因素,也会导致Rs变化   五、Rs影响因素   六、并阻Rsh组成   A.测试中并联电阻Rsh主要主要是由暗电流曲线推算出,主要由边缘漏电和体内漏电决定   B.边缘漏电主要由以下几个方面决定:   C.①边缘刻蚀不彻底   D.②硅片边缘污染   E.③边缘过刻   F.   G.体内漏电主要几个方面决定   H.①方阻和烧结的不匹配导致的烧穿   I.②由于铝粉的沾污导致的烧穿   J.③片源本身金属杂质含量过高导致的体内漏电   K.④工艺过程中的其他污染,如工作台板污染、网带污染、炉管污染、DI水质不合格等   七、Rsh影响因素      八、Uoc影响因素    九、Isc影响因素   十、网印区工艺过程常见问题处理   A.一、翘曲:   B.1.硅片太薄--控制原始硅片厚度   C.2.印刷铝浆太厚--控制铝浆重量   D.3.烧结温度过高--调整烧结炉4、5、6、7区温度   E.4.烧结炉冷却区冷却效果不好--查看风扇状况、进出水温度压力等   F.二、铝包:   G.1.烧结温度太高--调整烧结炉4、5、6、7区温度   H.2.印刷铝浆太薄--印刷铝浆重量加重   I.3.使用前浆料搅拌不充分--搅拌时间必须达到规定时间   J.4.铝浆印刷后烘干时间不够--增加烘干时间或提高烘干温度   K.5.烧结排风太小--增大烧结炉排风   L.6.烧结炉冷却区冷却效果不好--查看风扇状况、进出水温度压力等   M.三、虚印:   N.1.印刷压力太小--增大印刷压力   O.2.印刷板间距太大--减小板间距   P.3.印刷刮刀条不平--更换刮刀条   Q.4.工作台板不平,磨损严重--更换工作台板   R.5.网印机导轨不平--重新调整导轨   A.四、粗线:   B.1.网版使用次数太多,张力不够--更换网版   C.2.网版参数不合格--核对该批网版参数,更换网版   D.3.浆料太稀,浆料搅拌时间太长--严格执行浆料搅拌时间规定   E.4.网印机参数不合适--调整网印机参数

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