MOSFET并联（并联功率MOSFET之间的寄生振荡）.PDF

MOSFET 并联 （并联功率MOSFET 之间的寄生振荡） 概述： 本文档说明了并联功率MOSFET 之间发生寄生振荡的原因及解决方案。 并联功率MOSFET 之间的寄生振荡 应用说明 目录 概述： 1 目录 2 1. MOSFET 的并联运行 3 2. 因器件特性不匹配（并联运行）导致的电流不平衡 3 2.1. 稳态运行中的电流不平衡 3 2.2. 开关转换期间的电流不平衡 3 3. 寄生振荡（并联运行） 4 3.1. 因漏源电压振荡导致的栅极电压振荡 4 3.2. 并联MOSFET 的寄生振荡 5 3.2.1. 防止并联MOSFET 发生寄生振荡 7 3.3. 补充说明 9 3.3.1. 并联谐振电路 9 3.3.2. 振荡 9 3.3.3. MOSFET 振荡 11 3.4. 科尔皮兹振荡器 12 4. 模拟和减少并联MOSFET 的振荡 13 4.1. 并联MOSFET 中的电流不平衡 13 4.2. 并联MOSFET 之间的寄生振荡 15 4.2.1. 振荡现象 15 4.2.2. 防止振荡 18 © 2017 东芝电子元件及储存装置株式会社 2/ 19 2017-08-21 并联功率MOSFET 之间的寄生振荡 应用说明 1. MOSFET 的并联运行 由于功率MOSFET 不易发生热逸散，并联多个功率MOSFET 通常比并联双极晶体管更容易。 MOSFET 并联可提高输出电流性能。由于MOSFET 以高频率开关，其电气特性的差异和电路杂散电 感可导致出现瞬时电压峰值，以及并联 MOSFET 之间的电流分配不平衡。而电流不平衡可能导致功率损 耗过大并损坏器件。 并联连接时，最重要的是避免电流集中（包括在开关转换期间），并确保在所有可能的负载条件下， 流向所有MOSFET 的电流保持平衡且均匀。应特别注意以下方面： (1) 因器件特性不匹配（并联运行）导致的电流不平衡 (2) 寄生振荡（并联运行） 2. 因器件特性不匹配（并联运行）导致的电流不平衡 2.1. 稳态运行中的电流不平衡 在非开关期间，按照与并联 MOSFET 的导通电阻成反比的方式为其分配电流。导通电阻最低的 MOSFET 将承载最高的电流。导通电阻的正温度系数通常会为电流不平衡提供补偿，使通过各个MOSFET 的电流相等。 因此，认为并联MOSFET 在稳态情况下很少出现热击穿。MOSFET 体二极管中压降的温度系数非正 值。因此，并联 MOSFET 在其体二极管处于导通时，可能使稳态电流的分配出现大幅不平衡现象。但事 实上，MOSFET 的体二极管在通过电流时，MOSFET 的温度升高。所以，当其导通电阻增大时，其流过 的电流就会减小。因此，稳态电流中的不平衡很少会造成问