ECV测试原理与相关分析解析.pptVIP

2019 ppt资料 * 欢迎批评指导！！ 放映结束！ ECV测试原理及相关分析 工艺部 王永伟 ECV测试原理 内 容 简 介 ECV背景介绍 ECV测试常见问题及分析 ECV测试曲线的理解 第一部分ECV背景介绍 ECV背景介绍 对于半导体器件的设计和制造而言，器件中载流子浓度、掺杂厚度以及杂质分布都是必须严格控制的参数，就要求对载流子的浓度及分布有更精确可靠的测量。目前，业界已有几种表征杂质浓度分布的方法，如扩展电阻法、电容-电压法(C-V )、二次离子质谱 (SIMS)、微分霍耳法、电化学电容-电压法(ECV) 等。这些技术各有其自身的优缺点。传统的C-V法尽管实验方法简单，有较好的分辨率及精确性，但它受限于反偏电压下的击穿，不易表征高掺杂样品和具有一定深度分布的样品以及pn结；扩展电阻法可以测量pn结且不受深度的限制，但其要求精细的样品准备、探针选择以及数据提取与校正，杂质浓度分布的表征依赖于校正因子和迁移率的选择，且由于磨角度数和探针半径的限制，用它表征几十纳米结深的超浅结非常困难；微分霍耳法通过反复测试剥层前后薄层电阻和面霍耳系数的变化可以同时测量出载 ECV背景介绍 流子浓度及迁移率的深度分布，也可以测量pn结，但精确控制超薄层的剥离和精确测量霍耳效应在技术上是巨大的挑战，尤其对于几十纳米结深的超浅结；SMIS法有较好的分辨率及精确度，也