光刻胶与光刻工艺技术.pdfVIP

上海矽裕电子科技有限公司 TEL:021 第12第12章章 光刻光刻I I 第第1212章章 光刻光刻II 光刻胶与光刻胶与光刻光刻工艺技术工艺技术 光刻胶与光刻胶与光刻光刻工艺技术工艺技术 微电路的制造需要把在数量上精确控制的杂质引入到硅衬底上的微小区域内，然后把 这些区域连起来以形成器件和VLSI 电路。确定这些区域图形的工艺是由光刻来完成的，也 就是说，首先在硅片上旋转涂覆光刻胶，再将其曝露于某种光源下，如紫外光、电子束或 X －射线，对抗蚀层进行选择性的曝光。完成这项工作需利用光刻机、掩模版，甚至电子 束光刻时的数据带。曝光后的硅片经过显影工艺就形成了抗蚀剂图形。显影后仍保留在硅 片上的抗蚀剂保护着其所覆盖的区域，已去除抗蚀剂的部分必须进行一系列增加(如淀积金 属膜)或去除(如腐蚀)工艺，以将抗蚀图形转印到衬底表面。 下面三章详细地叙述了VLSI 的光刻工艺。第一章是抗蚀剂的特性和VLSI制造中的光 刻工艺技术。这个讨论仅限于光学曝光所用的抗蚀剂。第二章讨论的是曝光工具，也即描 述了光学光刻机和光掩膜。第三章讲述了先进的光刻技术，包括电子束、离子束和X －射 线图形形成技术。 抗蚀剂基本术语抗蚀剂基本术语 抗蚀剂基本术语抗蚀剂基本术语 光刻工艺基本步骤如图1所示。抗蚀剂(PR)作为一层薄膜涂覆到基片上(如硅上面的二 氧化硅上),再通过掩膜版曝光。掩膜版要保持干净，并含有要转印到衬底上的不透明图形， 以便在PR层上复制。PR经曝光后的区域有时变成可溶于显影液性的，有时变成不溶于显 影液性的。如果曝光后变得可溶于显影液，则在抗蚀剂上产生掩膜的正性图形。这种物质 就称为正性抗蚀剂。反之，若未曝光区溶于显影液，就产生负性图形，就是负性抗蚀剂。 显影后，未被抗蚀剂覆盖的SiO2层就被腐蚀掉。这样就在氧化层上复印了掩膜版图形。 在这步工艺中抗蚀剂有两个作用。首先必须对曝光有反应，以把掩膜版图形复印 到抗蚀剂上。其次余留的抗蚀剂在后面的工艺中必须保护下面的衬底。正如抗蚀剂的名字 一样，这种物质具有抵抗腐蚀的能力。 尽管半导体生产中使用正性和负性两种抗蚀剂，但由于正性抗蚀剂具有较高的分辨能 力，故VLSI 中全部选用正性抗蚀剂。正因如此，本章几乎所有的讨论都限于正性抗蚀剂和 1 真空吸笔真空吸笔 ‖理片机‖理片机 ‖倒片机‖倒片机 ‖金属片架‖金属片架 ‖取舟器石英舟‖取舟器石英舟/取舟器/取舟器 ‖外延石英钟罩‖外延石英钟罩 ‖定制工具‖定制工具 ‖净花及防静电用品‖净花及防静电用品 真空吸笔真空吸笔 ‖‖理片机理片机 ‖‖倒片机倒片机 ‖‖金属片架金属片架 ‖‖取舟器石英舟取舟器石英舟//取舟器取舟器 ‖‖外延石英钟罩外延石英钟罩 ‖‖定制工具定制工具 ‖‖净花及防静电用品净花及防静电用品 上海矽裕电子科技有限公司 TEL:021 它的工艺。传统的正性光学光刻工艺和抗蚀剂能适应于0.8～1.5ｍ的VLSI生产。到了亚 微米阶段，由于曝光中产生的衍射效应，必须发展分辨率更高的技术来代替光学光刻。 通常，抗蚀剂的使用者并不过多关心抗蚀剂复杂的化学成分，而对其性能较关心。本 章主要讨论其性能。 通常的光致抗蚀剂由三种成分组成：a)、基体材料(也叫树脂)，作为粘合剂，确定了 膜的机械特性；b)、增感剂(也叫阻化剂),是一种感光的化合物(PAC)；c)、溶剂(不同于显 影液溶剂)，使抗蚀剂保持液态，但涂在衬底上时会挥发掉。基体材料通常对入射辐射无反 应。也就是说，照射下不发生化学变化，但提供了有粘附力和耐腐蚀性的保护层，也确定 了抗蚀剂的其它薄膜特性，如厚度、折射性和热流稳定性。 增感剂是抗蚀剂中对光化学辐射有反应的成分。词语“光化学的”与引起光化学变化的 辐射能量特性有关(尤其是在可见光和紫外光区间)。增感剂给抗蚀剂提供耐显影剂特性和 辐射吸收特性。 2 真空吸笔真空吸笔 ‖理片机‖理片机 ‖