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计算机组成原理第四章
知识点二:半导体存储器与芯片扩展
主讲教师:吴非
问题引入
半导体存储器是如何存储数据的?存储器是如何与CPU连接的?如何进行容量的扩展?
学习建议
系统观:与总线、CPU设计紧密联系,存储器的组织方法决定了数据、指令的存放位置和访问逻辑,而存储芯片与CPU的连接和扩展方法与CPU的结构密切相关, 目前计算机是总线架构。
构造观:理解半导体存储器的存储机理和与系统连接方法。
1.静态RAM存储器
基本存储单元
存放一位信息的基本电路
SRAM基本单元存储结构和存储机理
存储结构: 6管结构
存储机理:依靠双稳态触发内部反馈电路储存信息
1.静态RAM存储器
SRAM存储器的组成
存储体、地址译码电路、I/O电路和控制电路
2.动态RAM存储器
DRAM 组织方式
存储结构: 4管
存储机理:电容存储电荷
DRAM动态刷新
定义:补充电荷
原因:电荷泄露
方法: 按行刷新
3.动态RAM刷新方式
例.刷新周期为2ms,存储矩阵用128×128结构,存储体的读/写周期为0. 5 s ,,采用三种不同刷新方式的平均读写周期是多少?
采用集中刷新的存储器平均读写周期
T= 2ms / (4000 – 128 ) = 0.5165s
集中式:将2ms读写周期分成2000/0.5 = 4000个读写时间段。前面4000-128=3872个读写时间段用于读/写,后面128个读写时间段用于刷新,在此阶段,不允许进行读写操作,故称为死时间.
3.动态RAM刷新方式
分散式:各刷新周期分散安排在存取周期中,对于本例的实际则是存储器的读写周期变成了1 s,其中前 0.5 s为读/写时间,0.5 s为刷新时间。
异步式:刷新周期分散安排在2ms内,每隔一段时间刷新一行。将2ms分成128个时间段,每段时间为 2000 / 128 = 15. 5 s,每隔15.5微秒提一次刷新请求;平均周期同集中式
4.信息存储与编址
存储字长与数据字长的概念
存储字长:存储器数据线的宽度
数据字长:系统数据总线的宽度
数据存放方式:大端和小端
大端(big-endian): 最高字节地址(最左边)作为字地址 (正常存放方式)
小端(little-endian):最低字节地址(最右边)作为字地址
4.信息存储与编址
例. 设某程序执行前 r0 =0x执行下列指令:
r1=0x100
STR r0, [r1]
LDRB r2 ,[r1]
5.主存储芯片与CPU连接和扩展
通过总线连接
地址线、数据线、控制线(读 / 写控制线、片选)
存储器扩展方法
位扩展 :当数据位不足时,并行扩展
字扩展 :当容量不足时,串行扩展
字位同时扩展:当数据位和存储体的容量均不足时使用
5.主存储芯片与CPU连接和扩展
位扩展
数据总线扩展, 并行工作
所需芯片数量:
K= 数据线位数/ 存储体数据位
本例 K=32
控制线和地址线并联
5.主存储芯片与CPU连接和扩展
字扩展
地址总线扩展, 同一时间仅一片芯片工作
所需芯片数量:
L= 主存容量/ 存储体容量
L= 2 CPU地址线数-存储体地址线数
本例 L=8
片选产生方法:译码
5.主存储芯片与CPU连接和扩展
字扩展时不同存储体的地址范围
低位地址,芯片内部编址
高位地址, 芯片间片选信号译码
A14 A13 A12
A0
0
0
0
0
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1
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1
5.主存储芯片与CPU连接和扩展
字位扩展
地址总线、数据总线同时扩展
所需要存储体的数量
P = K × L
= (存储器的容量*数据位)/(存储芯片的容量*芯片的数据位)
例 P=
知识点二 回顾
存储单元结构和组织方式
半导体存储器的组成、特点和用途
存储芯片与CPU的连接和扩展方法
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