第三章 场效应管.ppt

MOS管截止模式判断方法 假定MOS管工作在放大模式： 放大模式 非饱和模式（需重新计算Q点） N沟道管：VGS VGS(th) P沟道管：VGS VGS(th) 截止条件 非饱和与饱和（放大）模式判断方法 a)由直流通路写出管外电路VGS与ID之间关系式。 c)联立解上述方程，选出合理的一组解。 d)判断电路工作模式： 若|VDS| |VGS–VGS(th)| 若|VDS| |VGS–VGS(th)| b)利用饱和区数学模型： 例1 已知?nCOXW/(2l)=0.25mA/V2，VGS(th)= 2V, 求ID 解： 假设T工作在放大模式 VDD (+20V) 1.2M? 4k? T S RG1 RG2 RD RS 0.8M? 10k? G ID 带入已知条件解上述方程组得： ID= 1mA VGS= 4V 及 ID= 2.25mA VGS= -1V （舍去） VDS= VDD-ID （RD + RS）= 6V 因此 验证得知： VDS VGS–VGS(th) ， VGS VGS(th)， 假设成立。 小信号等效电路法 场效应管小信号等效电路分法与三极管相似。 利用微变等效电路分析交流指标。 画交流通路 将FET用小信号电路模型代替 计算微变参数gm、rds 注：具体分析将在第四章中详细介绍。 3.2 结型场效应管 JFET结构示