光纤通信原理_第五章_光源与光发送机.pdf

第五章 光源与光发送机 第五章 光源与光发送机 5.1 半导体光源的物理基础 5.2 半导体光源的工作原理 5.3 光源的工作特性 5.4 光发送机 5.5 驱动电路和辅助电路 5.1 半导体光源的物理基础 5.1 半导体光源的物理基础 5.1.1 孤立原子的能级和半导体 5.1.1 孤立原子的能级和半导体 的能带 的能带 1. 孤立原子的能级　 1. 孤立原子的能级　 原子是由原子核和围绕原子核旋转的 电子构成。围绕原子核旋转的电子能量不 能任意取值，只能取特定的离散值，这种 现象称为电子能量的量子化。 2. 半导体的能带　 2. 半导体的能带　 在大量原子相互靠近形成半导体晶体 时，由于半导体晶体内部电子的共有化运 动，使孤立原子中离散能级变成能带。 在图5.2 中，半导体内部自由运动的电 子(简称自由电子)所填充的能带称为导带； 价电子所填充的能带称为价带；导带和价 带之间不允许电子填充，所以称为禁带， 其宽度称为禁带宽度，用E 表示，单位为 g 电子伏特(eV) 。　 图5.2 半导体的能带结构 5.1.2 光与物质的相互作用　 5.1.2 光与物质的相互作用　 1. 自发辐射　 1. 自发辐射　 处于高能级的电子状态是不稳定的， 它将自发地从高能级(在半导体晶体中更多 是指导带的一个能级)运动(称为跃迁)到低 能级(在半导体晶体中更多是指价带的一个 能级)与空穴复合，同时释放出一个光子。 由于不需要外部激励，所以该过程称为自 发辐射。　 根据能量守恒定律，自发辐射光子的 能量为：　　 h ν =E -E 　　 12 2 1 式中：h 为普朗克常数，其值为 6.626 ×10-34J·s ；ν 为光子的频率；E 为 12 2 高能级能量；E1为低能级能量。　 2. 受激辐射　 2. 受激辐射　 在外来光子的激励下，电子从高能级 跃迁到低能级与空穴复合，同时释放出一 个与外来光子同频、同相的光子。由于需 要外部激励，所以该过程称为受激辐射。 3. 受激吸收　 3. 受激吸收　 在外来光子激励下，电子吸收外来光 子能量而从低能级跃迁到高能级，变成自 由电子。 5.1.3 粒子数反转分布状态　 5.1.3 粒子数反转分布状态　 1. 粒子数正常分布状态　 1. 粒子数正常分布状态　 在热平衡状态下，高能级上的电子数 要少于低能级上电子数。 2. 粒子数反转分布状态　 2. 粒子数反转分布状态　 为了使物质发光，就必须使其内部的 自发辐射和/或受激辐射几率大于受激吸收 的几率，这一点我们已经在介绍光与物质 的相互作用过程中提及过。 有多种方法可以实现能级之间的粒子 数反转分布状态，这些方法包括光激励方 法、电激励方法等。 5.2 半导体光源的工作原理 5.2 半导体光源的工作原理 5.2.1 发光二极管的工作原理 5.2.1 发光二极管的工作原理 半导体发光二极管( Light-emitting Diode ，LED)基本应用GaAlAs和InGaAsP 材料，可以覆盖整个光纤通信系统使用波 长范围，典型值为0.85 μm、1.31 μm 及 1.55 μm 。 1. 发光二极管的类型结构　 1. 发光二极管的类型结构　 按照器件输出光的方式，可以将发光 二极管分为三种类型结构：表面发光二极 管、边发光二极管及超辐射发光二极管