微电子器件B-4-8-2015短沟道效应.pptVIP

4.8 短沟道效应 当 MOSFET 的沟道长度 L↓时， 分立器件： 集成电路： 但是随着 L 的缩短 ，将有一系列在普通 MOSFET 中不明显的现象在短沟道 MOSFET 中变得严重起来，这一系列的现象统称为 “ 短沟道效应 ” 。 4.8.1 小尺寸效应 1、阈电压的短沟道效应 实验发现，当 MOSFET 的沟道长度 L 缩短到可与源、漏区的结深 xj 相比拟时，阈电压 VT 将随着 L 的缩短而减小，这就是 阈电压的短沟道效应 。 式中， 代表沟道下耗尽区的电离杂质电荷面密度。考虑到漏源区的影响后，QA 应改为平均电荷面密度 QAG 。 原因：漏源区对 QA 的影响。 已知 减小阈电压短沟道效应的措施： 2、阈电压的窄沟道效应 实验发现，当 MOSFET 的沟道宽度 Z 很小时，阈电压 VT将随着 Z 的减小而增大。这个现象称为 阈电压的窄沟道效应。 当 VGS VT 且继续增大时，垂直方向的电场 E x 增大，使表面散射进一步增大，? 将随