多孔硅的晶态结构与表征方法3.PDF

第 2 1 卷 第 9 期 化 　学 　进 　展 Vol . 2 1 No . 9 2009 年 9 月 PROGRESS IN CHEMISTRY 　Sep . , 2009 多孔硅的晶态结构与表征方法 1 2 吕京美 　程 　璇 ( 1 厦门大学化学化工学院化学系 　厦门 361005 ; 2 厦门大学材料学院材料科学与工程系 特种先进材料福建省重点实验室 　厦门 361005) 摘 　要 　多孔硅的生成过程涉及从完美硅单晶逐渐变为不完整晶体 ,甚至无定形结构 ,其结构变化取决 于制备条件和硅基底的掺杂类型与浓度 。多数研究者利用不同的非原位手段研究多孔硅生成过程中晶态结 构的变化 ,进一步研究其光致发光性能 。本文对不同条件下生成的多孔硅的晶态结构进行了归纳总结 , 比较 了透射电子显微镜 、X 射线衍射技术及拉曼光谱技术 3 种表征方法的特点及其对晶态结构认识的影响 ,指出 不同微观表征手段的局限性使得众多的报道结果相差较大 。最后本文就该领域的发展趋势和急需解决的问 题进行了总结 。 关键词 　多孔硅 　晶态结构 　微区表征 ( ) 中图分类号 : O6491 ; O6137 　文献标识码 : A 　文章编号 : 1005281X 2009 Crystalline Structures and Characterizations of Porous Silicon 1 2 L v J ingmei 　Cheng X uan ( 1Department of Chemistry , College of Chemistry and Chemical Engineering , Xiamen University , Xiamen 361005 , China ; 2Fuj ian Key Laboratory of Advanced Materials , Department of Materials Science and Engineering , College of Materials , Xiamen University , Xiamen 361005 , China) Abstract 　The formation of porous silicon (PSi) involves the transition from perfect monocrystalline silicon to non perfect crystalline such as polycrystalline or even amorphous structures , depending strongly upon the fabrication conditions and the nature of silicon substrates. Significant effort has been made to employ various exsitu methods to study crystalline transformation in order to understand the photolumine