原创力文档- 1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
查看更多
第 卷第 期 光 子 学 报
48 1 Vol.48No.1
年 月
2019 1 Januar2019
ACTAPHOTONICASINICA y
引用格式: , , ,
LINTao NINGShao-huan LIJin-in etal.Tem erature-deendentPhotoluminescenceCharacteristicsof
gjg p p
[] , , ():
StrainedGaInPQuantumWellStructureJ.ActaPhotonicaSinica 2019 481 0125001
, , , [] , , ():
林涛 宁少欢 李晶晶 等 张应变 量子阱结构变温光致发光特性 光子学报
. GaInP J. 2019481 0125001
张应变GaInP量子阱结构变温光致发光特性
1 1 1 1 2 3 3
, , , , , ,
林涛 宁少欢 李晶晶 张天杰 段玉鹏 林楠 马骁宇
( , )
1西安理工大学 电子工程系 西安 710048
( , )
2西北大学 物理学院 西安 710069
( , )
3中国科学院半导体研究所 光电子器件国家工程中心 北京 100083
: ,
摘 要 对张应变 量子阱激光器材料结构开展变温光致发光特性的研究 实验中激光器有源区
GaInP
,
为 量子阱结构 采用 离子注入并结合 下的快速热退火处理来诱导有源区发
9nmGa In P N 730℃
0.575 0.425
( ) : ,
生量子阱混杂 变温 光致发光特性研究表明 时 只进行快速热退火或者 离子注
. 10K~300K 300K N
, ,
入的样品不发生峰值波长蓝移 离子注入后样品在退火时发生波长蓝移 且蓝移量随退火时间的增加
文档评论（0）