刻蚀法图转移技术.ppt

* （3）溅射与离子轰击角度有关 离子溅射产额在倾斜角度最大，因此在离子束溅射系统刻蚀中，样品总是倾斜放置的，为了得到均匀溅射，样品架本身除了倾斜之外还绕中心轴旋转 （4）溅射产物会再次沉积到溅射系统的各个部分 样品在刻蚀中倾斜和旋转能够有效清除边壁上的二次沉积层 引入化学活性气体，例如在离子束溅射刻蚀氧化铪（HfO2）中引入CHF3气体。CHF3气体并不能导致溅射刻蚀产物成为挥发性产物，但因引入CHF3气体而产生的溅射刻蚀产物却可以用HCl腐蚀溶解，而HCl对氧化铪结构物任何伤害 * 图 8-6-3 离子束溅射刻蚀中的小面现象 * 8.7 反应气体刻蚀 前面介绍的干法刻蚀都是利用等离子体中的离子，或者直接物理溅射刻蚀，或者化学反应刻蚀。反应气体刻蚀则不需要任何形式的等离子体。利用二氟化氙（XeF2）在气态可以直接与硅生成挥发性产物SiF4，可对硅表面进行各向同性刻蚀 XeF2+Si →2Xe（气态）+SiF4（气态） XeF2在常温常压下成白色固体粉末状态，但蒸汽压很低（约3.3Torr，25 °C），在1～4Torr的低真空下升华为气态。所以，这种气象刻蚀不需要等离子体，只需要一个真空容器和排气系统 * （1）XeF2只对硅起化学腐蚀作用，因此有非常高的抗刻蚀比 （2） XeF2刻蚀硅的速度一般在1～3μm·minˉ1。刻蚀速率与硅的晶向或掺杂无关，刻蚀深度只与时间有关