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3.155J/6.152J 课件 6:
IC 测试
Prof. Martin A. Schmidt
麻省理工学院
9/24/2003
大纲
• 复习
• 要测试的结构
• 薄层电阻
• MOS 电容器
秋季课程 2003 M.A. Schmidt 3.155J/6.152J 课件 6 Slide 2
我们的方法：
• 多晶硅栅 (n-型) MOS 电容器
• n-型衬底
• 250nm n-型 多晶硅栅
• 50nm 栅氧化层
• 不同尺寸的电容器
• 多晶硅薄层电阻率
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电阻
R = ñ L/A = (ñ/t) (L/W)
电阻率 方块电阻R 长宽比
Ω:-cm
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薄层电阻率的概念
R = ñ L/A = (ñ/t) (L/W)
薄层电阻率(R ) #方块
S
Ω:/sq
L = W
R = RS
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方块数
R = 2R R = R / 2 R = R / 3
S S S
R = 8RS R = 6 .5RS
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薄层电阻的测试
V
I I
R ’ = VDC / AB R ’’ = VDA/ CB
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范德堡法
R = (/ð ln2) ½ (R’+R’’) f(R’/R’’)
S
f(R’/R’’)
假定:厚度均匀连续的
0.2
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