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第３６卷第５期 红 外 与 毫 米 波 学 报 Ｖｏｌ. ３６ꎬＮｏ.５
２０１７年１０月 Ｊ. Ｉｎｆｒａｒｅｄ Ｍｉｌｌｉｍ. Ｗａｖｅｓ Ｏｃｔｏｂｅｒꎬ２０１７
文章编号:１００１－９０１４(２０１７)０５－０５９４－０５ ＤＯＩ:１０.１１９７２/ ｊ.ｉｓｓｎ.１００１－９０１４.２０１７.０５.０１４
双异质结单载流子传输光敏晶体管输出电流
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刘 硕ꎬ 谢红云 ꎬ 孙 丹ꎬ 刘 芮ꎬ 吴佳辉ꎬ 张万荣
(北京工业大学 信息学部电子科学与技术学院ꎬ北京 １００１２４)
摘要:详细对比并分析了双异质结单载流子传输光敏晶体管(Ｕｎｉ￣ｔｒａｖｅｌｌｉｎｇ￣ｃａｒｒｉｅｒ ＤｏｕｂｌｅＨｅｔｅｒｏｊｕｎｃｔｉｏｎＰｈｏｔｏｔｒａｎｓｉｓ￣
ｔｏｒꎬＵＴＣ￣ＤＨＰＴ)与单异质结光敏晶体管(Ｓｉｎｇｌｅ Ｈｅｔｅｒｏｊｕｎｃｔｉｏｎ ＰｈｏｔｏｔｒａｎｓｉｓｔｏｒꎬＳＨＰＴ)在大的入射光功率范围下集电
极输出电流特性.首先ꎬＵＴＣ￣ＤＨＰＴ仅选取窄带隙重掺杂的基区作为吸收区ꎬ与ＳＨＰＴ 选取基区和集电区作为吸收
区相比ꎬ其光吸收区厚度小ꎬ在小功率入射光下ＵＴＣ￣ＤＨＰＴ 的输出电流小于ＳＨＰＴ 的输出电流.其次ꎬ由于ＵＴＣ￣
ＤＨＰＴ 的双异质结结构ꎬ光生电子和光生空穴产生于基区ꎬ减弱了ＳＨＰＴ 因光生空穴在集电结界面积累而产生的空
间电荷效应ꎬ避免了ＳＨＰＴ在小功率入射光下输出电流开始饱和的问题ꎬ从而ＵＴＣ￣ＤＨＰＴ获得了比ＳＨＰＴ 更大的准
线性工作范围.最后ꎬＵＴＣ￣ＤＨＰＴ 的单载流子(电子)传输方式使得基区产生的光生空穴以介电弛豫的方式到达发
射结界面ꎬ有效降低了发射结势垒ꎬ增加了单位时间内由发射区传输到基区的电子数量ꎬ提高了其发射结注入效
率ꎬ在大功率入射光下ＵＴＣ￣ＤＨＰＴ 比ＳＨＰＴ 能获得更高的输出电流.
关 键 词:光敏晶体管ꎻ单载流子传输ꎻ输出电流ꎻ空间电荷效应ꎻ发射结注入效率
中图分类号:ＴＮ２ 文献标识码:Ａ
Ｏｕｔｐｕｔ ｃｕｒｒｅｎｔ ｏｆ ｄｏｕｂｌｅ ｈｅｔｅｒｏｊｕｎｃｔｉｏｎ ｕｎｉ￣ｔｒａｖｅｌｌｉｎｇ￣ｃａｒｒｉｅｒ ｐｈｏｔｏｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ
∗
ＬＩＵ Ｓｈｕｏꎬ ＸＩＥ Ｈｏｎｇ￣Ｙｕｎ ꎬ ＳＵＮ Ｄａｎꎬ ＬＩＵ Ｒｕｉꎬ ＷＵＪｉａ￣Ｈｕｉꎬ ＺＨＡＮＧ Ｗａｎ￣Ｒｏｎｇ
(Ｃｏｌｌｅｇｅ ｏｆ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ ＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙꎬＦａｃｕｌｔｙ ｏｆ Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙꎬ
Ｂｅｉｊｉｎｇ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ ｏｆ ＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙꎬＢｅｉｊｉｎｇ １００１２４ꎬＣｈｉｎａ)
Ａｂｓｔｒａｃｔ:Ｉｎ ｔｈｉｓｐａｐｅｒꎬｔｈｅ ｏｕｔｐｕｔ ｃｕｒｒｅｎｔ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｗｉｔｈｉｎ ａ ｌａｒｇｅｒａｎｇｅ ｏｆ ｉｎｃｉｄｅｎｔ ｌｉｇｈｔ ｐｏｗｅｒ ｏｆ
ａ ｄｏｕｂｌｅｈｅｔｅｒｏｊｕｎｃｔｉｏｎｕｎｉ￣ｔｒａｖｅｌｌｉｎｇ￣ｃａｒｒｉｅｒ ｐｈｏｔｏｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ (ＵＴＣ￣ＤＨＰＴ)ｗｅｒｅａｎａｌｙｚｅｄｉｎ ｄｅｔａｉｌａｎｄ
ｃｏｍｐａｒｅｄ ｗｉｔｈ ａ ｓｉｎｇｌｅ ｈｅｔｅｒｏｊｕｎｃｔｉｏｎ ｐｈｏｔｏｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ (ＳＨＰＴ) ｓｉｍｕｌｔａｎｅｏｕｓｌｙ. Ｆｉｒｓｔｌｙꎬｔｈｅ ｏｕｔｐｕｔ ｃｕｒ￣
ｒｅｎｔ ｏｆ ＵＴＣ￣ＤＨＰＴ ｉｓ ｓｍａｌｌｅｒ ｔｈａｎ ｔｈａｔ ｏｆ ＳＨＰＴ ｕｎｄｅｒ ｓｍａｌ
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