光电工程研究所研究生余瑞晋在助理教授余沛慈老师的指导下以论文.doc

光電工程研究所研究生余瑞晉在助理教授余沛慈老師的指導下以論文 - “Model based Sub-Resolution Assist Features Using an Inverse Lithography Method”, 參加 SPIE今年在台灣所舉辦的國際研討會 - SPIE Lithography Asia—Taiwan. 並獲得最佳學生論文獎的肯定；此項會議今年在台灣是第一屆舉辦由台灣半導體產業協會 (TSIA)大力協辦，並由 ASML及 CYMER兩家國際知名的大公司提供兩名最佳學生論文獎的獎金，在這為期三天的會議共有108篇口頭論文及40篇壁報論文發表。 發表於這一次會議的研究論文主要是針對 Lithography中的光罩修正及其如何最佳化快速設計的研究成果。 Lithography –微影術，又叫光學微影術 (Optical Micro-Lithography) 是將光學影像成像於晶圓上並配合光阻的使用，達成規劃蝕刻區域的目的；由於在接近光波波長的尺度下光表現出其明顯的波動性質—繞射，因為此一特性使得積體電路工程師所佈局的電路圖(Layout)無法如預期般在微影時僅利用基本的光學成像原理在光阻上顯影出正確圖形，因此光學鄰近修正術 (optical proximity correction, OPC)被廣泛的用於微影時的光罩修正，使得經過修正的光罩得以在光阻上顯影出正確的圖形。 一般光學鄰近修正術只針對佈局圖上被刻畫到的區域 (main feature)進行邊緣的光強補償修正 (segment-based OPC)；即在圖形邊緣設偵測段，判斷光強度並做拉近或拉出的調整。)。此次余同學等所發表的論文主要提出一種新穎的 逆向（inverse）且能快速運算的辦法：Inverse lithography(反向微影技術)。這是採用一種以目標為導向的技術來決定最後產生所需光罩的特徵；其結果由製程機台的光學成像模型與給定的光罩做褶積運算（Convolution）求得，在反覆的計算、比較並修正後得到最佳的光罩。相較於傳統 OPC的辦法， inverse lithography 可得到更優化的光罩圖形，缺點是光罩複雜製程成本高。 因此本論文中亦提出在光學鄰近修正術之前，先施以此 inverse lithography的方法藉以找出輔助的光罩圖形 (Sub-Resolution Assist Features，SRAFs，增加繞射進而提升顯影保真度的輔助佈局)，並將複雜光罩圖形轉換成基本的矩形組合，接著再將此光罩以標準的 OPC進行修正，如此不但可改善以往在光罩修正上僅考慮主要圖形而忽略輔助圖形的不足，也大大降低了光罩的複雜度，更進而提升光學微影術的可靠度及製程的良率。 光學微影術乃是現今半導體科技產業能夠如此蓬勃發展的關鍵技術，任何積體電路的設計皆須以依靠此項技術才得以真正實現，其重要性不言可喻。每年全世界數有以百計光學微影術的研究論文發表於SPIE所屬的會議及期刊上，包括許多重要研究成果。其中最著名的是在 2002年七月由 現任台積電資深處長林本堅博士 在 SEMATECH workshops 受邀論文發表演說時提出浸潤式的微光學微影術 (Immersion Lithography)，此項微影技術使得半導體的線寬得以推進至 22nm，台積電也因此一微影技術得以在半導體產業保持領先至 2012年。 SPIE ( The International Society for Optical Engineering，國際光學工程學會) 成立於 1955 年，是致力於光學、光子學和電子學領域的研究、工程和應用的著名專業學會。 附 圖 (a) (b) (c) (d) 圖(a)為一未經修正的積體電路佈局圖。圖(b)為圖(a)經過目前工業界常規的光學鄰近修正後所得的結果，此一修正光罩僅由基本的幾何圖形所完成，其輔助光罩圖形(SRAFs)的大小及位置均根據製程工程師的經驗所建立的資料庫進行規劃，因此當修正複雜及更小線寬的佈局圖時其可靠度便大福下降。圖(c)利用我們所提出的 inverse lithography方法藉找出的光罩及輔助光罩圖形，此方法將整個光罩納入計算的考慮，所產生的輔助光罩圖形(SRAFs)符合物理的結果，因此其形狀與位置不似圖(b)那樣整其規律，但修正複雜及更小線寬的佈局圖時仍具極高的可靠度。圖(d)將圖(c)的複雜圖形加以簡化成簡單的幾何形狀以提高製造之可行性並同時兼具高可靠度。 上圖為 Best student paper award 的受獎照片。由左算起第一位為 ASML 的 Senior RET Development Manager – Stephen D. Hsu，第三位為香港大學的 N