模拟cmo目s集成电路设计(拉扎维)第5章无源和有源电流镜.pptVIP

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  • 2019-03-09 发布于福建
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模拟cmo目s集成电路设计(拉扎维)第5章无源和有源电流镜.ppt

模拟cmo目s集成电路设计(拉扎维)第5章无源和有源电流镜

* 模拟集成电路原理 第5章 无源与有源电流镜 董刚 gdong@mail.xidian.edu.cn 微电子学院 1 2 本讲 电流镜 基本电流镜 共源共栅电流镜 有源电流镜 电流镜做负载的差分放大器 大信号特性 小信号特性 共模特性 西电微电子学院-董刚-模拟集成电路设计 3 明确几个概念 电流源 Current source 电流沉 Current sink 电流镜 Current Mirror 无源电流镜 Passive Current Mirror 用做产生直流偏置电流时 有源电流镜 Active Current Mirror 象有源器件一样用作小信号处理时 “有源/无源电流镜”概念仅在Razavi书中出现 西电微电子学院-董刚-模拟集成电路设计 4 本讲 电流镜 基本电流镜 共源共栅电流镜 有源电流镜 电流镜做负载的差分放大器 大信号特性 小信号特性 共模特性 西电微电子学院-董刚-模拟集成电路设计 5 电流源 AIC中经常需要电 流源 对电流源的期望 电流值能由设计者 方便地设定在某一 期望值,并且电流 值的偏差能被控制 在一定范围内 电流值往往会随工 艺、电源、温度等 变化而变化 电阻、电容、噪声 等 如何电路实现并可 设、精确、稳定? 西电微电子学院-董刚-模拟集成电路设计 ( 确、稳定,很难实用 6 基于电阻分压的电流源 电流值对工艺、电源、温度等变 化敏感 不同芯片阈值偏差可达100mV μn 、VTH随温度变化 输出电压范围 大于M1管的VOV即可 为了输出电压范围较大,VOV取 典型值200mV 若VTH改变50mV,则IOUT改变44% I OUT ≈ μn Cox W R2 2 L R2 + R1 VDD ? VTH ) 2 评价:电流值无法精 西电微电子学院-董刚-模拟集成电路设计 7 基于基准电流的电流源-原理 IREF 基准电流 由专门的电路来产生,如带隙基准源等(第11 章),是一个重要、活跃的研究领域 基准电流的电流值精确、稳定(对电源电压、工艺 偏差、温度变化等不敏感) 基于IREF,“复制”产生所需各电流 常用复制方法是先把IREF转换为电压,在由该电压 转换为电流 西电微电子学院-董刚-模拟集成电路设计 I REF = μ n C ox W ?1 ?1 2 基本电流镜-等量复制 镜面 基本电流镜 (VGS ? VTH ) 2 L I out = ff ( I REF ) = I REF I REF = f (VGS ) VGS = f ( I REF ) 忽略了λ的影响(会影响复制精度) Iout也可以不等于IREF 西电微电子学院-董刚-模拟集成电路设计 8 ( 2 ( 2 9 基本电流镜-比例复制 I REF = μ n C ox W 2 L )1 (VGS ? VTH ) I out = μ n C ox W 2 L ) 2 (VGS ? VTH ) 设计者通过合理设计 M1和M2管的尺寸比, 即可获得期望的电流 I out = (W / L ) 2 (W / L )1 ? I REF 若IREF精准、稳定,合理设计M1管和M2管的尺寸和位 置,使它们的VTH、μn、COX等工艺参数匹配度高、W/L 比值在一定精度内,则可获得一定精度且稳定的Iout 西电微电子学院-董刚-模拟集成电路设计 10 基本电流镜在差分放大器中的应用 高输出摆幅、高增益的二极管接法MOS管做负 载的差分放大器 西电微电子学院-董刚-模拟集成电路设计 11 高输出摆幅的差分放大器 见教材P104,图4.33 西电微电子学院-董刚-模拟集成电路设计 W μn (W / L)1 ≈ 单级共源放大器 提高输出摆幅 M1管偏置在饱和区,漏电流为I1, IS=0.75I1 I D 2 = I D1 4 g m = 2 μ n C ox W L I D A v = ? g m 1 g m 2 = ? 4 μ n (W / L ) 1 μ p (W / L ) 2 μ n ( W L )1 (VGS 1 ? VTH 1 ) 2 ≈ 4 μ p ( ) 2 (VGS 2 ? VTH 2 ) 2 L | VGS2 ? VTH2 | (VGS1 ? VTH1) 4μp (W / L)2 4 VSG

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