自考02234《电子技术基础》一复习资料..doc

第一章 半导体基础 三.本征半导体：纯净的单晶形式存在的半导体称为本征半导体。同时存在空穴导电和电子导电两种导电方式。而且空穴所形成的电流方向和电子形成的电流方向相同，两种导电方式的同时存在，是半导体导电机制的最大特点，也是区分导体导电和半导体导电的最大区别。 四．杂质半导体：1.N型半导体：掺入少量五价元素（如磷或砷）即可得到N型半导体，自由电子导电是杂质半导体导电的主要形式，少子是空穴，多子是自由电子。2. P型半导体：掺入少量三价元素（如硼或铝）即可得到P型半导体，空穴导电是杂质半导体导电的主要形式，少子是自由电子，多子为空穴。 第二节．半导体二极管 伏安特性：当二极管上电压加到一定时，电流显著增加，这一电压称为门槛电压或死区电压，记Uth,一般硅管为0.5V，锗管为0.1V。 二极管的击穿分为热击穿和电击穿。电击穿又分为雪崩击穿和齐纳击穿两种，这两种击穿的过程是可逆的，当反向电压降低后，能恢复，但如电压过大，电流过大，会过渡到热击穿。 第四节，特殊二极管 稳压二极管：它的反向特性比普通二极管更加陡直，这正是它用来稳压的依据所在。一般在使用中，要串联一个限流电阻，以防止热击穿。通常稳压大于6V的是雪崩击穿，小于5V的是齐纳击穿。一般rz越小，稳压效果越好。 第五节 半导体三极管：特点：1）基区非常薄，掺入杂质少，多数载流子浓度低。2）发射区多子浓度大于基区；3）发射极面积远小